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2017-08-11 发布于重庆
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34 4 人工晶体学报 V o.l 34 N o. 4 2005 8 JOURNAL OF SYNTH ET IC CRYSTALS A ugu st, 2005 r 1, 2 1 1 1, 2 1, 2 彭观良 , 周国清, 庄漪, 邹军 , 王银珍 , 1 1 1 1 李抒智 , 杨卫桥 , 周圣明, 徐军 1. , 20 1800; 2. , 100039 ) : TGT ) 1102) , X XRC ) , KOH r 1102) , SEM ) , r, , : ; r; ; ; ; : O 771 : A : 1000985X 2005) D efect Study of rp lan e Sapph ire Single C ry stal G rown by Tem perature G radien t Techn ique 1, 2 1 1 1, 2 1, 2 PENG Guanliang , ZHOU Guoqing , ZH UANG Yi, ZOU Jun , WANG Yinzhen , 1 1 1 1 LI Shuzhi, YANG Weiqiao , ZHOU Sheng m ing , XU Jun 1. Sh anghai Inst itute of Opt ics and Fin eM echan ics, C h inese A cadem y of S cien ces, Shangh ai 20 1800, C h ina; 2. G raduate S chool of the C h inese A cadem y of S cien ces, Beijing 100039, C h ina) ( eceived 13 D ecember 2004 ) Abs tract: A high quality sapph ire sing le crystal oriented along 1102) was g rown by the tem perature grad ient techn ique TGT ) and the crystal quality w as invest igated u sing X ray rock ing curve XR C ). The etch pits o f d islocat ions w ere revea led on the rplane 1102) sapph ire by using a m elted KOH as etchants. Scann ing e lectron m icroscope SEM ) dem onst