石墨层间化合物GICs的形成机理探讨.pdfVIP

第 卷 第 期 新 型 炭 材 料 / \,G-/ +,- 年 月 % M +9W 6=XYZ+ :=;9X5=[8 :?-% 文章编号! 2$.%%2)%*$/%$/ 石墨层间化合物 的形成机理探讨 4567 传秀云 北京大学 地质学系 北京 ) 0 .2* 摘 要 将 形成过程划分为熔融 活化 扩散和成键等阶段 分析了各阶段反应的主要影响因素 以氯化铜 ! 4567 1 1 0 0 1 氯化镍 的合成实验为基础 根据 对石墨膨胀前后 插层前后的形貌分析 以及膨胀石墨合成 反应 4567 0 89: 1 0 4567 前后体积变化分析 认为 的形成过程中 主要有三个机制起作用 氯化物扩散机制 氯化物和碳原子层之间离 0 4567 0 ! 1 子键牵引机制和石墨碳原子层分子键牵引回复机制 在膨胀石墨 的合成过程中 除占主导地位的扩散机制 3 4567 0 外 还存在化学键牵引机制 主要包括碳原子间分子键牵引和碳原子氯化物之间的离子键牵引 0 0 3 关键词 石墨层间化合物 插层反应 机理 ! ( ( 中图分类号! ; %2- ; ’/ 文献标识码! = 催化活性 吸附性能和气体储藏性能 同时 研究石 引言 1 3 0 墨层间化合物合成机理 对于粘土矿物等插层化合 0 作为一种新型的纳米级复合材料 石墨层间化 物合成也有一定指导意义 0 3 合物 不 将 形成过程进行阶段划分 分析各阶段 ) $ * 45674?@ABCD5ECDF?G?CB,E6,H@,IEJ7 4567 0 但保留了石墨原有的性能 而且附加了原有石墨和 反应的主要影响因素 以氯化铜 氯化镍 的合 0 0 1 4567 插层物质均不具备的新性能 受到材料学家 物理学