一种新型硅基3C-SiC的生长方法及光谱学表征.pdfVIP

第 21卷 第 3期 光 散 射 学 报 Vo1．21 No．3 2OO9年 9月 THEJOURNAL OF LIGHT SCATTERING Sep．20o9 文章编号：1OO4—5929(2OO9)O3一O251一O5 一 种新型硅基 3C—SiC的生长方法及光谱学表征 程顺昌，杨治美 ，钟玉杰 ，何 毅。，孙小松。，龚 敏 (1．四川大学物理科学与技术学院微 电子实验室 ，成都 610064； 2．四川大学分析测试 中心 ，成都 610o64； 3．四川大学材料科学与技术学院，成都 610064) 摘 要 ：采用LPCVD技术 ，以CH 和H。混合气体为反应源气 ，在n—Si(1l1)衬底上生长3c_SiC晶体薄膜 。 Hz在反应过程中作为稀释气体和运输气体，CHt作为碳源，硅源有衬底硅来提供。利用 X射线衍射分析 仪、场发射扫描 电子显微镜、激光拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱分别研究 3c_SiC薄膜 的晶相结构、表面 形貌及其光谱性质。结果表 明此生长方法可 以成功的成长 出3C—SiC薄膜。 关键词 ：立方碳化硅 ；拉曼散射光谱 ；傅里叶变换红外光谱 ；剩余射线带 中图分类号：TN3O4．O54 文献标识码 ：A New Synthesis0f3C—SiC Film andopticalCharacteristics Study0n Silic0n Substrate CHENGShun—chang ，YANGZhi—mei，ZHONGYu—jie，HEYi， SUN Xiao—song。，GONG Min’ (1．K Zn60，7 cr0PZ已c￡，．0 cs，Sc^ 口 L Prs￡，C Pg “61OO64，Gh 口； 2．G Pr0，A 口Zs n T ￡，Sc^z口‘ U Prs￡，SZc^ 口，zL r ， GhP g 61O064，G n； 3．I)p口r￡7 ￡0厂7口￡r口Zsc 7zc，Sc^口 J【 Prs￡3，，( g 610O64，Gh以口) Abstract：3C—SiCfilm wasgrownonn-Si(111)substratebyLow pressurechemicalvapor deposition (LPCVD)．CH4wasusedasthecarbon s0urceandd-luted with H2，while sIliconsubstratewasusedasthesnicon source．Thefi1m wascharacterizedusingvari0us techniques，including x—ray diffraction (XRD)，scanning electron microscope (SEM)， RamanscatteringspectraandFouriertransform infrared (FTIR)reflectance．Theresults revealedthatfi1m obtainedons订iconsubstratewithCH4andH2was3(’_SiCsinglecrysta1． Keyw0rds：cubicsiliconcarbide；Raman scattering spectra；f0uriertransf0rm infrared； reststrah1enband 收稿 日期 ：2009—01一O5 作者简介：程顺 昌(1983一)，男，河南伊川县人，硕士研究 生，主要研究领 域为微 电子器件工艺 等．E_mai1：shunchang． cheng@hotmail．com 通讯作者 ：龚敏．E_mai