化合物半导体外延生长%3a从LPE到MOVPE.pdfVIP

化合物半导体外延生长：从LPE刳MOⅥ慢 李长荣杜振民卢琳张维敬 dt京科技大学材料科学与工程学院) 接要：外燕生长技术是半导体材科制胀捌造的重要工艺，特蔬黾液相外延(LPE)和金属有机 暂气辊外西Mo、肫)技术得到了克乓广泛的应用。本文在分折LPE和Mov盹外延生长技术的 工艺々姝和薄囊特缝的基t上．重点从热力学裙乎夤的角度．研究适合于半导体生长的成分空 闽。对比分桶帮L聚表明：u．E和Man，PE外瑶技术具有—些共同的优点和特点．丽在另—舸 它们又可以职长朴矩、互为朴充。 关键词：ITI．v族半导体LPE MovPE规打学分析 棚年代硼。麓蕾外】匿技术的应用，解决了半导体l晰哇产中许多堆酗_映的问置．大大 提高了墨件的性蕾．使外廷生长成为半导体材辩和嚣件誓聋的重要工艺之一。目翦用于生长半 导体材辩的外鼍技术包括：漉相外廷(LPE)、氯化钫气相步h廷(clvPE)、氢化钫气相外延 由于具有优良的工艺性蕾和晶体薄囊的特点，在半导体光电镀域得到了广泛的应甩。据估计， 习∞∞年。LPE和Mo岍，E外廷生长挽术将主宰半导体光电元器件工业的应用锾蝌”。图I是 R．L Mo∞的爱■结果的圈形表示。LPB和M0vPE蚪鼍技术具有—些共同的优点和特点．面 在另—方面．它们又可以互为补充，取长朴艇。本文将鼍过两种外造技术的工艺特点和两种外 廷生长的鼢空闯两个方面说明LPE和M0vPE的夏种性。 vPE I】％ _Ⅵ‘，Ⅵ．E 15％ U’￡ 日％ ng·lU辑群or印i口t训IecI．noIo|晤i口 lhe op‘驰k咖Ⅱ瞄∞m岬I ．md∞fry(b蕾叫∞subs口a塘u鞫9“1 、 ——_匿琢孺嗣圃r_—_ 1．uIE租MOV|，E外延生长的特点∞l 藏捆岁}瑶(L阢)是由饱和辨浪中在簟蟊忖鹿t生长涪冀材料晶体■外廷屡的方法。射目 外蹙的出现．对于化合物半导体材辩和—件曲发晨起了t蔓的攮动作用。藏相外叠技木具有生 长j嘶、蕾tI浦单、晶瀚啊翻瞳和材喇都删嘲优氤渤彬悃渥蜊彤掏谭—瞳呵以 出嘲弹喇-控■、生长逮度快、t麓睦好，它特期遗合予!憾长m—V旗I参外鼍屡和多层 异羹外】譬■奠。鼬比之外．L陋挽树W陵垒’演射髓[气黼扇鲋q腧皇虚例毛庶·如晴 畴■蛹啊峨l-豳‰整是，L盹不■生长劬蠢暇的螭嗣羹爰再圈蝴当日I蛳陶t在●墙 ●纛■方—瞳叠淆．-定田曩。 捌费咐糖謇嘲酗睬丽少。糖删翻瞰蟑啊嫒麈粥嘲蚋撇．可生嘲鲥嘲蝴 面、组成曩变曲井难过蠢屡、以及■鲁■■墨-啊；■螭辋。与u它相比，MoⅥ屯的不辩之处 在矛嘲硼铺蹦棚躺、易■、毒售最大．其麾吨幽戳日嘲暗昂嬲哝· 知E聪，U屯私MoⅥ哏拽书缸芑述固静N射H峭瞳踌厦番榭-赢．奠鞠良矗i秭氟· 币受h眩崔种哪制论的井j噬E毒嗣盼空阿中也讨嚷出t恻嘲蝤目啦· L孢瘌瞳融谚蕊盼—I梯辩由构成倦削紫”嘲啪于曲嘲鹿。比如，铽^sS酬烈H拌导 僖蝴—缡睛瓠舢、踮暑晰谢e巍瞳，嗣n嫡蛾^|，鳓肫翻纠国体蚓咐抻嘲由Al、oa、 k姆霹哟嗣黼LPB辨琏刚神嘲盼空瞎嘲嘲+期霹枢·对予M㈣外戢长· 囊莉U豫捌嘲屿睦长腿，瓤嘲棚喃蒯龋曲剿州悯以外，运刨厅c和H嘲元 Glx^s鳓船削纠喝悻砷w睢臌长I硝睇嘲蒋垂擒瞻ol、 素。穗，ac^略峒弧(^l 崔气+曩嘲目区。 圈2栅3蝓出用于吼外廷生长女叻学分析的平衡相圈：o鲁．A螨b三元秉的辱温截面和 ^I 台糖半导体的uIE井延生长。在圈中的L+zl区和L+蜀区，可以用u，E的方法生长械的化 合暂半导体。 强●囊圜