稀磁半导体论文：Mo掺杂In_2O_3薄膜的电磁性能研究.docVIP

稀磁半导体论文：Mo掺杂In_2O_3薄膜的电磁性能研究 【中文摘要】稀磁半导体材料因其同时具有自旋和电荷两种自由度而成为近年来的研究热点。通过掺杂过渡金属元素,In203基半导体会具有良好的电磁光性能,而且易于和多种半导体材料实现集成化,在下一代多功能器件中必将有极大的应用前景。本文中采用高温固相烧结的方法,制备了Mo掺杂In203稀释磁性半导体块体,并对固相烧结的特征阶段和原理进行了简单介绍。后用制得的块体作为蒸镀源材料,采用玻璃片作为基底材料,用电子束真空蒸镀的方法,通过改变基底温度、蒸镀时间、蒸镀气氛、Mo掺杂量等参数制备出了一系列的Mo掺杂In203稀磁半导体薄膜,并采用x射线衍射仪、场发射扫描电镜、四探针电阻测试仪、霍尔效应测试系统、振动样品磁强计、紫外-可见光分光光度计分别对薄膜样品的晶体结构、表面形貌、电输运性能、磁性能、光性能进行了表征和分析。主要结论如下：(1)采用高温固相法制备得到的Mo掺杂In203块体,用真空蒸镀的方法制备得到薄膜样品,在Mo掺杂浓度为1%、2%、3%时具有了室温铁磁性。(2)随着Mo掺入量的变化,薄膜样品的结构和磁性能均发生了较大的变化。当Mo掺入量为1%-3%时,获得样品的晶体结构与立方晶系In2O3相一致,... 【英文摘要】Dilute magnetic semiconductors have been the frontier research objects in recent years because of the possibility of assembling charge and spin degrees of freedom in single substance. In2O3 based semiconductors will have good optoelectrical and magnetic properties by doping transition metals.There will be a great application prospect in the next generation of multi-function device due to integrating various semiconductor materials easily.In this research,Mo doped In2O3 diluted magnetic semiconductor bul... 【关键词】稀磁半导体 氧化铟 真空蒸镀法 结构 性能 【索购全文找】1.3.9.9.3.8.8.4.8 1.3.8.1.1.3.7.2.1 同时提供论文写作一对一辅导和论文发表服务。 【英文关键词】diluted magnetic semiconductor In_2O_3 vacuum evaporation structure property 【目录】Mo掺杂In_2O_3薄膜的电磁性能研究 摘要 4-6 Abstract 6-7 第一章 绪论 11-23 1.1 稀磁半导体研究概况 11-17 1.1.1 稀磁半导体研究背景 11-12 1.1.2 稀磁半导体简介 12-13 1.1.3 稀磁半导体磁性来源理论模型 13-17 1.1.3.1 双交换理论 13-14 1.1.3.2 超交换理论 14 1.1.3.3 RKKY理论 14-15 1.1.3.4 平行场理论 15-16 1.1.3.5 BMP理论 16-17 1.2 稀磁半导体薄膜制备方法 17-20 1.2.1 溶胶-凝胶法(Sol-Gel) 17 1.2.2 分子束外延法(MBE) 17-18 1.2.3 脉冲激光沉积法(PLD) 18-19 1.2.4 化学气相沉积法(CVD) 19 1.2.5 溅射技术 19-20 1.2.6 蒸发技术 20 1.3 稀磁半导体薄膜的应用前景 20-21 1.4 本论文研究的意义及创新点 21-22 1.4.1 本论文研究的意义 21-22 1.4.2 研究内容及创新点 22 1.5 本章小结 22-23 第二章 实验部分 23-35 2.1 Mo掺杂In_2O_3块体的固相烧结制备 23-25 2.1.1 固相烧结简介 23-24 2.1.2 实验药品和设备 24-25 2.1.2.1 实验药品 25 2.1.2.2 实验设备 25 2.1.2.3 靶材制备 25 2.2 电子束真空蒸镀制备Mo掺杂In_2O_3薄膜 25-28 2.2.1 电子束真空蒸镀方法介绍 25-27 2.2.2 实验原料和设备 27-28 2.2.2.1 实验原料 27 2.2.2.2 实验设备 27 2.2.2.3 薄