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第1章自测题、习题解答 自测题1 一、选择题 1. 在半导体材料中，本征半导体的自由电子浓度 空穴浓度。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 2. PN结在外加正向电压时，其载流子的运动中，扩散 漂移。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 3. N型半导体的多数载流子是电子，因此它 。 A. 带负电荷 B. 带正电荷 C. 呈中性 4. 处于放大状态的晶体管，集电结的载流子运动形式 运动。 A. 只有漂移 B.只有扩散 C.兼有漂移和扩散 5. 当环境温度增加时，稳压二极管的正向电压将 。 A.增大 B. 减小 C.不变 解：1、C 2、A 3、C 4、A 5、B 二、判断题 1．PN结加上反向电压时电流很小，是因为空间电荷减少了。（ ） 2．当共射晶体管的集电极电流几乎不随集—射电压的变化而改变时，则称晶体管工作在饱和状态。（ ） 3．P型半导体中空穴占多数，因此它带正电荷。（ ） 4． (a) (b) (c) (d) (e) (f) 图T1－3 (a) (b) 图T1－4RB =100KΩ，UBB =3V时，IC =？ 解： 2. UBB =2V时，UO =5V时，RB =？ 解： 习题1 1。1 电路如图P1－1ωt V，E=5V，试分别画出输出电压uO的波形。 (a) (b) 图P1－2 （a）当时，二极管导通，；当时，二极管截止， （b）当时，二极管截止，；当时，二极管导通， 1．3 选择填空 ⑴.硅材料的N型半导体中加入的杂质是 元素，锗材料的P型半导体中加入的杂质是 元素。 A. 三价 B. 四价 C. 五价 ⑵．PN结正向偏置时，空间电荷区将 。 A. 变宽 B. 变窄 C. 不变 ⑶．场效应管的夹断电压UP=-10V，则此场效应管为 。 A. 耗尽层 B. 增强型 C 结型 ⑷．某晶体管的发射结电压大于零，集电结也电压大于零，则它工作在 状态。 A. 放大 B. 截止 C. 饱和 ⑸. N沟道结型场效应管的导电载流子是 。 A. 电子 B. 空穴 C. 电子和空穴 ⑹. 场效应管是一种 控制型器件。 A. 电流 B. 电压 C. 光电 ⑺. N沟道结型场效应管放大时，栅源之间的PN结 。 A. 应正偏， B. 应反偏， C. 应零偏。 ⑻. 对于结型场效应管，当(UGS(((UP(，那么管子将工作在 区。 A. 可变电阻 B 恒流 C. 夹断 D. 击穿 解：（1）C A （2）B （3）A （4）C （5）A （6） B （7）B （8） C 1．4 两只硅稳压二极管的正向电压均为0.5伏，稳定电压分别为UZ1 =6V，UZ2 =8V，若与一电阻串联后接入直流电源中，当考虑稳压管正负极性的不同组合时，可获得哪几种较稳定的电压值。 解：两个稳压管组合可以有14V, 6.5V, 8.5V, 1V四种输出电压 1．5图P1－5所示为半导体二极管正向伏安特性的近似曲线，试画出由恒压源U，电阻rd和理想二极管D组成的该二极管正向工作的电路模型，并写出U及rd的表达式。 解： 等效电路图如下： uD =Uon +iDrD rD =(uD (Uon)/iD 1．6解：电路如图P1－6所示，其中R=2KΩ，硅稳压管DZ1、DZ2的稳定压UZ1、UZ2分别为5V、10V，正向压降为0.6V，不计稳压管的动态电阻和耗散功率，试求各电路输出电压。 (a) (b) (c) (d) 图P1－6 解： （a）DZ1反向击穿，DZ2截止，故uo1 =5V （b）DZ1正偏，DZ2截止，故uo2 =0.6V （c）DZ1反向击穿，DZ2截止，故uo3 =0V （