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;第一章 8086程序设计 第二章 MCS-51程序设计 第三章 微机基本系统的设计 第四章 存贮器与接口 第五章 并行接口 第六章 计数器、定时器与接口 第七章 显示器与键盘接口 第八章 串行通信及接口 第九章 数模转换器和模数转换器接口;本章知识点;本章知识点;常用存贮器;只读存储器;只读存储器; ;只读存储器;EPROM 2764 8K X 8字节 存储器;2764 工作方式; 由于 EPROM 的擦或写均需专用设备，在使用时即使只要求修改一个或少数几个数据也需要将其从系统中取出，编程后再装入系统， ;光擦除的EPROM用于存放程序或固定的数据，通常只需采用其读出工作方式; -CE 为片选信号; -OE 为程序存储器的读信号。;EPROM AT27C256R 32K X 8字节 存储器;27C256R工作方式; ;只读存储器;E2PROM AT28C256 32K X 8字节 存储器;只读存储器;E2PROM AT28C256的数据读出类似于静态RAM（SRAM）的数据读出，只需提供地址信号和读控制信号即可。 当-CE和-OE为低，-WE为高时，存储在由地址信号决定的存储单元内的数据呈现在数据输出端。 ;AT28C256的数据写分为字节写入和页写入两种模式。 在器件内包含了一个64字节的页寄存器，允许最多写入64个字节（一页）的数据。 写入操作包括数据锁存和编程2个过程，写周期最大为10ms。在写入操作的同时，原先的数据即被擦除。 AT28C256不需提供额外的高编程电压，外部只需提供5V的电压即可。 ;只读存储器;只读存储器; ;只读存储器;只读存储器;只读存储器;只读存储器;只读存储器; ;随机存取存储器; ;随机存取存储器;随机存取存储器;随机存取存储器;随机存取存储器; ;随机存取存储器;随机存取存储器;随机存取存储器;随机存取存储器; ;随机存取存储器;随机存取存储器;行与列地址的输入形式 数据的刷新;本章知识点;微处理器与存贮器的连接;;微处理器与存贮器的连接;微处理器与存贮器的连接;程序存储器;微处理器与存贮器的连接;微处理器与存贮器的连接;89C51扩展2片6264 地址0000H、2000H 地址分离采用74LS373 数据线驱动采用74LS245;微处理器与存贮器的连接;本章知识点;存储器信息的断电保护;SRAM与FRAM具有同样的读写时序 在微机系统中采用FRAM不必考虑断电保护问题 在微机系统中采用SRAM应考虑断电保护问题;利用静态RAM的低电压保持信息的功能，对这些静态RAM采用后备电源供电。 静态RAM 6116，6264都具有这一功能。当 VCC大于2V，而片选信号 -CS≥VCC－0.2V时，能以极小的功耗保持其存贮的信息，此时流过电路的电流仅1～100μA。;存储器信息的断电保护;存储器信息的断电保护;断电;在断电时，D1截止，D2导通，由电池供电，6116或6264的电源电压为电池电压减去二极管的压降。 三极管的基极电压为零，因而此三极管截止，存贮器的片选端与VCC端电压相等，这时仅用几个μA就能保持其信息。 ;正常供电时充电; 采用虚线框内的D3及R1，则电池可改为充电电池。这样在正常供电时，由电源通过D3及R1对电池充电，而在断电时，由电池供电，以保证长时间使用 ;本章小结