InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究.pdfVIP

第三部分 微波毫米波有源器件及电路 InP基共振遂穿二极管隔离层厚度 对器件I-V特性影响的研究 1 2 2 1 1 1 韩春林 ，张杨 ，曾一平 ，高建峰 ，薛舫时 ，陈辰 1 单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所 南京 210016 2 中国科学院半导体研究所 北京 100083 摘要：本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管（RTD ）不同厚度隔离层对器件I-V特性的影响进行了研究，研究发现器件 的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低，同时，在一定隔离层厚度范围内峰谷电流比随着隔离 层材料厚度的增加而增加。通过优化材料结构，研制出峰谷电流比PVR=20 的InP基RTD器件。 关键字：共振遂穿二极管、分子束外延、隔离层 Research Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of InP-base Resonant Tunneling Diodes a b b a a a Han Chun-Lin , Zhang Yan , Zeng Yi-Ping , Gao Jian-Feng ，Xue Fang-Shi , Chen Chen aState Key laboratory of Monolithic Integated Circuits and Modules, Nanjing Electronic Devices Institute b Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Science Abstract: We have investigated the dependence of current -voltage characteristics of AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunneling diodes (RTDs) on spacer layer thickness. We found that the peak and the valley current density in the negative differential resistance (NDR) region depend strongly on the thickness of the spacer layer. The measured peak to valley current ratio of RTDs studied here is shown to improve while the current density through RTDs decreases with increasing spacer layer thickness below a critical value. Keywords: resonant tunneling diode, molecular beam epitaxy ，space layer 1 引言 RTD的研究已持续20 多年。共振隧穿二极管作为一种 基于双势垒结构的新器件，电子通过其中的量子化能 纳米技术是20世纪末期崛起的崭新科学技术，是 级共振隧穿, 其具有速度快、频率高、低功耗的特点 传统电子技术发展的必然结果，是21世纪信息时代的 [4-6]，特别是在完成同等功能时，所