OB IC+Mosfet 变压器设计计算.xlsVIP

Sheet3 Sheet2 Sheet1 Dmax f Iout Pin Pout T Tonmin Vacmax Vacmin VD Vdcmin Vout η 初级线直径 次级1线直径 Date:2010/09/20 绿色框需手动输入原始参数 REV.A0 初级参数 输入 计算结果 Lp App 初级电流密度 (A/mm2) j Bsat 输入高压电容量 (uF) Cin Bm=Bsat/2.3 输入电容纹波上升时间 (Ms) Trise Ap=Aw*Ae2.5*App Ap Aw Ae Vdd 生产参数 η 初级匝数 Np 次级1匝数 Ns fs 辅助级匝数 Aux T lg 变压器满载初级峰值电流 Mosfet耐压 (V) Vmos 实际最大工作磁通密度(T) BmaxBsat Vd 输出二极管反向耐压 (V) 输出二极管压降 Vf mm 匝比N 线径/n*SQRT(2) 变压器匝比最终选 N 自动计算 最低输入电压 (Vdc) 最大占空比 如果计算出的线径D大于两倍的穿透深度,就需要采用多股线或利兹线 最小占空比 例如:1A电流,频率100K.假设电流密度取4A/mm^2 SC初線2d= ????D=1.13*(1/4)^1/2=0.565mm??Sc=0.25mm^2 SC初線DSC初線2d*2,就需要采用多股线 ????d=66.1/(f)^1/2=66.1/100000^1/2=0.209mm 工作状态电流的设定 ????2d=0.418mm 初级临界电流平均值 (A) SC次線2d= ?? 采用0.4mm的线,单根0.4的截面积Sc=0.1256mm^2 初级临界电流峰值 (A) SC次線DSC次線2d*2,就需要采用多股线 ???????????????? 2根0.4的截面积Sc=0.1256*2=0.2512mm^2 ???? 可以看出采用2*0.4的方案可以满足计算的要求. OB IC+Mosfet 變壓器設計計算 (昂宝原版整理) 输入电压（V） Vacmin 变压器初级电感量 (mH) Vacmax 变压器磁蕊面积 (CM)2 Vdcmin Vdcmax 输出额定电压（V） Vout 输出额定电流IAV（A） Iout 变压器磁蕊面积实选(MM)2 负载下的辅助电压（V） 电源功率（W） Pout 预设效率（%） 输入功率（W） Pin 工作频率（KHz） 周期 μs 磁芯气隙（mm） IPk2 AUX整流1N4007压降 所有电流线径按Irms有效值计算,单根大于0.8mm使用多根并联 初级线直径为 次级三重线直径为 Vinmin 供电直径为 Dmax Dmin SC初線D= 最大导通时间(μs) Tonmax 最小开通时间(μs) Tonmin SC次線D= IAV IPk1 Ipa 计算绕组的铜损,温升 Ipac 100℃时的铜阻 X 初级绕组的铜损 (W) Pcu 磁蕊的铁损 (W) Pfe=Pv*Ve 变压器副边电流直流值 Idc 总的铜铁损为 (W) Pcu+Pfe 变压器副边电流交流值 变压器原边电流中值 变压器原边电流有效值 Iprms 平均匝长 (mm) Iav 变压器原边电流直流分量 Ipdc 变压器原边电流交流分量 变压器副边电流中值 Ia 变压器副边电流有效值 Irms Iac 温升 (℃) △t 40℃ 90.00 .57 1000.00 264.00 .04 2.00 1.00 127.26 4.00 373.30 3900.00 22.00 1695.65 2.30 3.00 .72 10000.00 12.00 60.40 2.00 119.00 15.00 24.00 20.70 100.00 100.00 29.78 5.17 65.00 6.60 15.38 1000.00 .11 .40 3.14 1000000.00 1.46 2.00 600.00 3391.3000 1.00 100.00 .55 .49 4.00 3.14 2.00 8.50 .80 5.49 .80 .16 1.00 3.00 4.00 4.00 3.14 4.00 1.04 4.00 3.14 2.00 .35 1.00 3.00 4.00 4.00 3.14 .49 .16 7.07 .21 3.14 2.00 66.10 2.00 66.10 2.41 .33 .17 .21 3.14 2.00 66.10 2.00 66.10 .73 2.00 1.10 2.00 .74 24.00 .50 20.70 .55 4.80E-04 4.00 2.00 .13 3.41 .00 .08 1000.