聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸复合LB膜对有机电致发光器件性能的优化.pdfVIP

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2017-08-21 发布于北京
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聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸复合LB膜对有机电致发光器件性能的优化.pdf

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聚3,4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸复合LB膜对有机电致发光器件性能的优化.pdf

第61卷第6期化工学报 V01．61N0．6 CIESC 2010年6月 Journal June2010 聚3，4-乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸复合LB膜对有机电致发光器件性能的优化郑华靖，蒋亚东，徐建华，杨亚杰 (电子科技大学光电信息学院，电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054) 究』，薄膜的导电性能并进一步研究薄膜在改善器件性能方面的作用。将其应用于有机电致发光二极的空穴缓冲层，将聚3，4一乙烯二氧噻吩聚苯乙烯磺酸复合I。B膜沉积于铟锡氧化物(1TO)电极上，制备了以复合LB膜为空穴缓冲层的有机电致发光二极。发现复合I，B膜改善了器件性能(启动电压降低、最大亮度增加)，但进一步的研究表明，LB膜器件在一定时间后出现性能劣化，X射线反射率(xRR)分析表明薄膜的结构发生一定程度的改变，是导致器件性能变差的可能原因。关键词：聚3，4一乙烯二氧噻吩；Langmuir-Blodgett膜法；有机电致发光二极；测量中图分类号：0647．2 文献标识码：A Performance ofOLEDdeVicewithLBfilmofPEDoT—PSS optimization ZHENG Huajing。JIANGYadong，XUJianhua，YANGYajie Thin 8L ‘Sl口te E￡ectr雠icFi￡ms De埴ces．School KeyLnbomtory0f Imegmted 0foptoe￡ectromclnformntto孔， Sci鲫c￡Ⅱ行d ‰i化捌桫D，E‰fr0行ic n如挖oZDgyD，吼i咒口，劬已，l鲥“610054，Si以纰，l，既i触) Duetoits and characteristicsand Abstract： conductiVitystability， high goodopticaltransparency easy wide intheantistatic synthesis，poly(3，4一ethylenedioxythiophene)(PEDOT)hasapp“cationprospects device， transformation，sensor，P￡c．inrecent coating，organic，display energystorage years．A methodwas usedto and inducing firstly singlelayer mult订ayer Langmuir—B10dgett(LB) prepare conductingcompositepoly(3， film． device The ofPEDOTnanostructureto electric o