倒筒式射频溅射频偏压对Ba0.65Sr0.35TiO3热释电薄膜结构及性能的影响.pdfVIP

第36卷 ，增刊 红外与激光工程 2007年6月 v0 1．36 Suppl ement In ：fr a r e d a nd Las er Engi nc e 咖g Jun ．200 7 倒筒式射频溅射 自偏压对Ba o ．65Sr o ．35Ti 03 热释 电薄膜结构及性能的影响 赵强，罗一生，刘祚麟 ，马建福 ，张万里 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都6 10054) 擅 要 ：采 用 倒 筒 式 射 频 溅 射 方 法 ，在 吣 i O娟 i 基 片 上 制 备 了Bao ，65Sr o． 35T妁 3 简 称 BsT) 薄 膜 。 研究了自偏压对BsT薄膜结构及电学性能的影响。在较高 自偏压下制备的BsT薄膜具有高度 的 100) 择优取向，且结晶性好，表面平整，耐压能力强。在25℃时薄膜的热释 电系数高达6 ．73 ×1∥7c ·锄。2 ·K- 1。 研究结果表明，利用倒筒式射频溅射方法适当提高 自偏压 ，可以制备出热释电性能优 良的BsT薄膜 。 关键词 ：BST；倒筒式；射频溅射；热释电系数 ；探测率 中圈分类号：048 ；053 文献标识码：A 文章编号：1007—2276 2007) 增 器件)一0038．04 I nnuence of t ar get se l f - bi as i n i nVer t ed cyl i ndr i c al RF sput t er i ng on t he mi cr os t r u ct ur e and el ect “ca l pr oper t i es of Ba0 ．65Sr 0 ．35Ti 03 t hi n f i l ms ZHAOQi aI l g，LUOYi —sheng ，LmZu o- Hn，MAJ i a l l 一f u ，ZHANG WaI l —l i St at eKeyL丑b of 同ec 的Di cnLi n Fi h啮髓dI nt egr a把dDcVi ∞s ，uni Ve体埘of E1∞仃c 吐cSci 即c e柚d陬h Ⅱol ogy of cbi | 域cb ％gdu 610054 ，al i na) Abs t 隐ct ：Ba0 ．65Sr o ．35Ti 03 BST) t l l i n f nms we r e deposi t ed on P仉VSi 02 ，Si su bs Ⅱa t e s by i nver t ed cyl i n 1r i cal RF s put t er i ng．nl e i nnue nce of t a 唱e t se l f - bi a s V01t a ge on me mi cmst r ucnl r e aI l d el e ct r i c al pr openi es of s put t er ed BST f i l ms wa s i nVe st i gat e d．D印osi t ed at 11i gh t a r ge t sel f - bi as Vol t age ，t l l e BSTt l 缸n f i l ms ar e t l i gmy 100 ) 一or i en锄on ，and haVe smoot h sur f ．ace ，exc e玎en t c 巧st amn 时and go od wi mst an d v01t a ge pr openi es ．The pyr oe l ec t r i c c oef f l ci ems of BST t