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第 24卷 第 2 电 子 显 微 学 报 Vo1.24.NO.2
2005年 4川 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 20H05.4
文章编号 :1000.6281(2005)02—0091-04
利用磁力显微镜研究倾斜溅射
对TbFe薄膜磁性能的影响
陈 琨,王志红 ,张金平,周 宇
(电子科技大学微 电子与固体 电子学院纳米技术中心,四川 成都 610054)
摘 要:磁力显微镜(MFM)作为研究表面磁结构的有力工具已广泛应用于磁性薄膜的研究 TbFe磁致伸缩薄膜
在实际应用中要求易磁化轴平行于膜面,以获得较低的面 内饱和场Hs 传统的成膜技术难 以实现这一 目标,采用
倾斜溅射方法制备 Tl1Fe薄膜可有效降低面内饱和场Hs 通过测量样品的磁滞回线可以发现,易磁化轴随着溅射
角度 的增加逐渐偏离样 品的法线方 向,而取 向于平行膜面 ..本研 究工作利 用 MFM研 究了不 同溅射角度得到的
TbFe薄膜的磁畴结构 发现薄膜的磁畴结构随着溅射角度的增加逐渐由垂直畴转化为水平畴,与磁滞回线测量得
到的易磁化轴方向发生偏转的结果相吻合
关键词:磁力显微镜 ;TbFe薄膜;倾斜溅射
中图分类号:.rB383;0484.4 3;0766.I;.rGll5.2I5.3;TGl】5.2I5.9 文献标识码:A
磁力显微镜 (magneticforcemicroscope,MFM)可 利用磁力显微镜 (MFM)对倾斜溅射 TbFe薄膜进行
以给出磁体高分辨的形貌像和磁力梯度像,同时因 研究,对比了随溅射角度的增加薄膜易磁化轴逐渐
其具有操作简单、可在空气中操作及样品不需要特 偏转这一过程中,TbFe薄膜表面微结构和磁畴结构
殊制备等优点,自问世起就成为磁力研究的有力工 的变化。磁畴结构的变化情况与利用磁滞回线得到
具 。其成像原理是依靠检测磁性针尖与样品杂散 的结果相吻合。
场之间的相互作用力牛成磁力梯度分布图,从而对
1 实验
磁性材料进行磁畴检测。由于磁力显微镜在成像过
程中也检测范德瓦尔斯力梯度的变化,所 以MFM也 实 验 所 用 MFM 是 Et本 精 工 公 司 生 产 的
可 以同步得到样品表面的微结构图像。 SPA300HV型扫描探针显微镜 ,磁性探针是精工生
磁致伸缩效应 由于具有非接触、大形变 (几百 产的MF一3系列探针,探针悬臂长 450~m,针尖长
ppm)、低驱动电压(毫伏级)及大的机电转换效率等 10m,镀层为C0一Cr合金,弹性系数 2.1N/m,悬臂的
优点,在微机 电系统 (MEMS)中具有广阔的应用前 共振频率约 29kHz,磁化方向沿针尖长度方向垂直
景。由于磁致伸缩性能对薄膜的微结构十分敏感, 向下。
如何控制微结构成为制备高性能磁致伸缩薄膜的关 利用直流磁控溅射工艺在抛光的单晶Si(100)
键。近年来 由于倾斜溅射技术可控制薄膜的纳米结 基片上沉积TbFe合金薄膜。基片尺寸20mm×5mm
构而用于薄膜制造。利用倾斜溅射技术制造的薄膜 ×0.3mm。本底 真 空度 6×l0“Pa,工 作气体
在沉积过程中将形成纳米级柱状微结构 ,柱状晶 99.99%的Ar气,溅射气压控制在 0.2Pa到0.6Pa
的生长方向与薄膜法线成一定角度,这个角度随入 之间,溅射功率约40W,溅射时间30rain。成膜过程
射角的增大而增大 。由于柱状结构引入了各向 中沿短轴方向将基片倾斜,使溅射粒子的入射方向
异性,所以柱状结构在控制薄膜磁性能方面有着重 和基片的法线成一定
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