ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响.pdf

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第34卷第10期发光学报 V01．34No．10 2013年10月 CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCE Oct．，2013 文章编号：1000-7032(2013l 10．1362-05 ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响朱彦旭1，范玉宇2，曹伟伟¨，邓叶1，刘建朋1 (1．北京工业大学北京光电子技术实验室，北京100124； 2．中国联通北京分公司网管中心网络分析调度中心，北京100029) 摘要：在制备串联高压LED阵列工艺中，ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测．对比了不同工艺过程，得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因。并通过优选ICP刻蚀工艺，使高压LED 电流输运特性得以改善，制备出一12V的四串联高压LED阵列器件。关键词：氮化镓；高压LED；电流输运中图分类号：0472+．8 文献标识码：A DOI：10．3788／fgx1362 EffectofICP onCurrent in Etching Properties Transport LED High-voltageArray ZHU Yel，LIU Yan．XUl，FANYu．yu2，CAOWei．weil+，DENGJian—pen91 (1．BeijingOptoelectronic死chnologyLaboratory，BeijingUniversityofTechnology，Beijing100124，China； 2．Network Unicorn Center，ChinaBeijingBranch，Beijing100029，China) Management }CorrespondingAuthor．E—mail：caoweiwei@emails．bjut．edu．cn of in the of the Abstract：In LED，one high— manufacturingprocesseshigh—voltage keyproblems LEDcurrent iscurrent and circuitcausedICP voltage transport leakageopen by etching．Thispaper the ofICP on LEDindifferent as mainlyanalyzesimpact