MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究.pdfVIP

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2017-09-14 发布于湖北
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34卷第9期发光学报 V。1．34Ⅳ。．9 2013年9月 CHINESE JOURNALOF LUMINESCENCE Sept．．2013 文章编号：1000-7032(2013j09—1149-06 MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究 8 王玉超1，吴天准h，张权林1，陈明明1，苏龙兴1，汤子康1，2 (1．中山大学理工学院光电材料困家重点实验室，广东广州510000；2．香港科技大学物理系，香港) 摘要：用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量Mg，Zn。0薄膜。x射线衍射显示，当Mg摩尔分数在0～32．7％范围内时，薄膜保持六方结构，(002)衍射峰半高宽为0．08。～0．12。，薄膜结晶质量与现有报道的最高水平相当。随着薄膜中Mg含量的增加，紫外发光峰由378nlll蓝移至303 nm。对M孙l。zn。。0薄膜变温光致发光光谱的研究发现，束缚激子发光随温度变化存在两个不同的猝灭过程。对不同Mg含量薄膜共振拉曼光谱的研究发现，A，(L0)声子模频移与Mg含量在一定范围内呈线性关系，这为确定Mg，zn。0薄膜中的M冀含量提供r一种简单高效的方法。通过拉曼光谱与X射线衍射对比研究发现，拉曼光谱在确定 MgZnO材料相变时具有更高的灵敏度。最后，研究了M‰。Zn。。，0薄膜的变温共振拉曼光谱，对A．(LO)和 A，(2LO)声子模随温度而变化的现象给m了～定的理论解释。关键词：Mg。Zn。一，0；分子束外延；X射线衍射；光致发光；共振拉曼光谱文献标识码：A 149 中图分类号：0484．4 DOI：10．3788／fgx1 of SemiconductorMaterials and StudyMgZnO Using ResonanceRaman Spectroscopy WANGYu．cha01．WUTian．zhunl+，ZHANG Quan．1inl， 4 CHEN Zi-kan91’2 Ming．min91，SULong．xin91，TANG and and Materials of (1．Laborator)ofOptoelectronic Technologies，SchoolPhysicsEngineering， SunYat—Sen 510000，China；