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半导体及二极管 1. 半导体的导电特性 本征半导体 硅 锗 两种载流子: 空穴 自由电子N 型半导体P 型半导体PN 结的形成 多数载流子的扩散运动形成 PN 结扩散运动与漂移运动PN 结的单向导电性PN 结 加 正 向 电 压 ( 导 通 )PN 结 加 反 向 电 压 ( 截 止 )2. 半导体二极管 二极管的 伏安特性二极管的主要参数 (1)最大整流电流 I F (2)反向击穿电压 V BR (3)反向电流 I R二极管基本电路及其分析方法 (1)二极管正向V-I特性的建模 理想化模型 恒压降模型(2)模型分析法应用举例 1)静态工作情况分析 2)限幅电路 3)开关电路 4)低电压稳压电路齐纳二极管 (稳压管)简单的稳压电路半导体三极管 及 放大电路基础 1. 半导体三极管(晶体管) NPN 型三极管结构及符号PNP 型三极管结构及符号晶体管中的载流子运动和电流分配晶体管的电流方向、 发射结和集电结的极性 晶体管 的输入 特性曲 线晶体管 的输出 特性曲 线晶体管的主要参数 1电流放大系数 2集-基极反向电流 I CBO 3集-射极反向电流 I CEO集-基极反向电流 I CBO集-射极反向电流 I CEO (穿透电流)4集电极最大允许电流 I CM 5集电极最大允许耗散功率 P CM2. 基本放大电路 晶体管工作在放大状态必须:发射结为正向偏置集电结为反向偏置共射极基本放大电路共射极基本放大电路的简化及习惯画法(1)静态分析 直流 通路(2)动态分析