聚二烷基硅烷的合成及其表征.pdf

维普资讯 基础研 究 请机l·前斟，2007，21(4)：202~205 SILICONEMATERIAL 聚二烷基硅烷的合成及其表征 宋恩峰，孙文艳，冯圣玉 (山东大学化学化工学院，济南 250100) 摘要：以二 甲基二氯硅烷、二苯基二氯硅烷为原料，通过Wurtz还原反应合成出聚二 甲基硅烷、聚二 苯基硅烷，并用UV、H NMR、FT—IR以及 GPC、DSC—TGA等方法进行了光谱分析和结构表征。 关键词：聚二甲基硅烷，聚二苯基硅烷，二甲基二氯硅烷，二苯基二氯硅烷，Wurtz反应 中图分类号：0634．4—1 文献标识码：A 文章编号：1009—4369 (2007)04—0202—04 聚硅烷 (一SiR一SiR一)是一类链骨架仅 苯、二甲苯、四氢呋喃、乙醇、异丙醇以及金属 含硅原子的高分子聚合物，其侧基 R一般为饱 钠：AR，其中甲苯、二甲苯和四氢呋喃使用前 和或不饱和烷基、芳基或其它官能基Ll1]。从链结 经过金属钠脱水回流24h蒸馏处理，天津市大 构上说，聚硅烷包括环状聚硅烷和线形聚硅烷。 茂化学试剂厂。 线形聚硅烷又包括均聚硅烷和共聚硅烷。目前已 1．2 (CH3)zSiC1、PhSiC1的精制 合成出来的聚硅烷主要是线形的_l2]，主链上的 (CH。)SiC1的精制：在严密干燥 的 250 硅原子的3d轨道为空轨道，这种特殊结构使 mL三颈瓶中，加入 140mL (CH。)SizC1z，放 Si—Si链电子能沿着主链广泛离域，形成一个大 入 2粒沸石，在高纯氩气保护下加热，取70℃ 的共轭体系；由此赋予聚硅烷特定的光 电性能， 以上馏分，得无色透明液体。 如热致变色性_l4]、光谱烧孔、场致发光性、电致 PhSiC1的精制：在严密干燥的250mI三 发光性 、导电性[、光敏性[、光折变[引、热 颈瓶中，加入 120mLPhSiC12，通入高纯氯气 分解转化特性_l9]等，可作为导电、光电导及电荷 保护 30min，真空蒸馏，取0．133kPa、116～ 转移复合材料、非线性光学材料l1、光控开关 l19oC馏分，得无色透明液体，产率929／6。 或波长转化材料，在制备高强度高模量 SiC纤 1．3 PDMS的合成 维u 、电子照相的光敏涂层、高分辨光致抗蚀 在严密干燥、高纯氩气保护的250mL四颈 剂、烯烃聚合的光引发剂、发光二极管等电子器 瓶中，加入 80mL除水后的甲苯，投入 4．6g 件等方面得到了广泛的应用，成为极有前途的功 (0．2mo1)新切割的金属钠，加热回流 15min； 能性高分子材料，从而 引起 了人们 的极大 开启高速搅拌 (转速 1200r／min)，将钠打成细 兴趣 。 碎的钠砂，并保持这种搅拌速度至聚合反应 本实验以二甲基二氯硅烷、二苯基二氯硅烷 终止。 为原料，采用Wurtz还原法合成了低摩尔质量 在避光条件下，通过恒压滴液漏斗迅速滴入 的聚二 甲基硅烷 (PDMS)和聚二苯基硅烷 溶于 40mL无水甲苯的 12．1mL (0．1mo1)精 (PDPS)，并采用多种测试方法进行了表征。 制 (CH。)SiC1，温度控制在 106～108℃，加 热回流