电力电子讲义第二章.pptVIP

KC04移相触发器主要用于单相或三相全控桥式装置。KC系列中还有KC0l，KC09等。KJ00l主要用于单相、三相半控桥等整流电路中的移相触发，可获得宽脉冲。KC09是KC04的改进型，两者可互换，适用于单相、三相全控式整流电路中的移相触发，可输出两路相位差180度的脉冲。它们都具有输出负载能力大、移相性能好以及抗干扰能力强的特点。第29页，共61页，星期日，2025年，2月5日2、KC04的一个典型应用电路第30页，共61页，星期日，2025年，2月5日3、KC4lC六路双窄脉冲形成器KC4lC是六路双脉冲形成集成电路KC4lC的输入信号通常是KC04的输出，把三块KC04移相触发器的l脚与15脚产生的6个主脉冲分别接到KC4lC集成块的1~6脚，经内部集成二极管完成“或”功能，形成双窄脉冲，再由内部6个集成三极管放大，从10~15脚输出，还可以在外部设置Vl~V6晶体管作功率放大，可得到800mA的触发脉冲电流，供触发大电流的晶闸管用。KC4lC不仅具有双窄脉冲形成功能，而且还具有电子开关控制封锁功能，当7脚接地或处于低电位时，内部集成开关管截止，各路正常输出脉冲；当7脚接高电位或悬空时，饱和导通，各路无脉冲输出。第31页，共61页，星期日，2025年，2月5日4、KC4lC与KC04组成的双窄脉冲触发电路第32页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.2全控型电力电子器件的门极驱动电路(简介)

2.2.1GTO的驱动信号和驱动电路1、对GTO门极驱动信号的要求GTO门极电流电压控制波形分为开通和关断两部分，推荐波形如下图所示。图中实线为波形，虚线为波形。第33页，共61页，星期日，2025年，2月5日开通时，门极电流脉冲前沿陡度大，一般为5～10A/μS，门极正脉冲电流的幅度比规定的额定直流触发电流应大3～10倍，正脉冲宽度一般为10～60μS，而后沿应尽量平缓些。关断时，关断脉冲电流上升率一般为10～50A/μS。脉冲应具有一定的宽度，关断脉冲电流的幅度一般为(1/8～1/3)，其后沿也应尽量平缓些。第34页，共61页，星期日，2025年，2月5日1、可关断晶闸管的门控电路(1)GTO的门控供电方式b）单电源方式（a）单电源方式（c）双电源方式（d）脉冲变压器方式第35页，共61页，星期日，2025年，2月5日(2)GTO的门控驱动电路实例2）用P-MOSFET关断GTO的门控电路下图是用P-MOSFET关断GTO的门控电路原理图。第36页，共61页，星期日，2025年，2月5日第37页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.2.2GTR的驱动信号和驱动电路1、GTR的驱动信号GTR理想的基极电流波形如下图所示。第38页，共61页，星期日，2025年，2月5日2、GTR的驱动电路固定反偏互补驱动电路如图示。当ui为高电平时，晶体管V1及V2导通，正电源+VCC经过电阻R3及V2向GTR提供正向基极电流，使GTR导通。当ui为低电平时，V1及V2截止而V3导通，负电源-VCC加于GTR的发射结上，GTR迅速关断。第39页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.2.3P-MOSFET的驱动信号和驱动电路1、P-MOSFET对驱动信号的要求（1）触发脉冲要有足够快的上升和下降速度。（2）触发脉冲电压应高于开启电压，但不超过最大触发额定电压BUGS。但也不能过低，否则会使通态电阻增大。（3）驱动电路的输出电阻应较低，以提高P-MOSFET的开关速度。（4）由于栅极输入电容Cin的存在，在开通和关断过程中仍需一定的驱动电流来给Cin充放电，且Cin越大，所需的驱动电流越大。（5）为防止误导通，在P-MOSFET截止时需提供负的栅源电压。（6）驱动电源须并联旁路电容，它不仅能滤除噪声，也可给负载提供瞬时电流，加快MOSFET的开关速度。第40页，共61页，星期日，2025年，2月5日2、P-MOSFET的驱动电路（1）栅极直接驱动电路栅极直接驱动的电路原理图（a）用一个晶体管直接驱动（b）用推挽电路驱动第41页，共61页，星期日，2025年，2月5日(2）隔离式栅极驱动电路根据隔离元件的不同可分为电磁隔离和光电隔离两种。电磁隔离第42页，共61页，星期日，2025年，2月5日光电耦合隔离驱动电路第43页，共61页，星期日，2025年，2月5日第1页，共61页，星期日，2