HE8050电源晶体管技术参数与性能特点.pdfVIP

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2025-11-25 发布于北京
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HE8050电源晶体管技术参数与性能特点.pdf

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Spec.No.:HE6112

HI-SINCERITYIssuedDate:1992.09.30

RevisedDate:2001.08.13

MICROELECTRONICSCORP.PageNo.:1/3

HE8050

NPNEPITAXIALNARTRANSISTOR

Description

TheHE8050isdesignedforusein2Woutputamplifierofportable

radiosinclassBpush-pulloperation.

Features

•Hightotalpowerdissipation(PT:2W,TC=25C)

•Highcollectorcurrent(IC:1.5A)

AbsoluteumRatings

•umTemperatures

StorageTemperature-55~+150C

JunctionTemperature+150Cum

•umPowerDissipation

TotalPowerDissipation(Ta=25C)1W

•umVoltagesandCurrents(Ta=25C)

VCBOCollectortoBaseVoltage40V

VCEOCollectortoEmitterVoltage25V

VEBOEmittertoBaseVoltageV

ICCollectorCurrent1.5A

IBBaseCurrent500mA

Characteristics(Ta=25C)

SymbolMin.Typ.Max.UnitTestConditions

BVCBO40--VIC=100uA

BVCEO25--VIC=2mA

BVEBO6--VIE=100uA

ICBO-100nAVCB=35V

IEBO---100nAVEB=6V

*VCE(sat)--0.5VIC=0.8A,IB=80mA

*VBE(sat)--1.2VIC=0.8A,IB=80mA

VBE(on)--1VVCE=1V,IC=10mA

*hFE145--

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