超低介电常数多孔SiCOH薄膜的制备工艺与性能优化研究.docx

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2025-11-23 发布于上海
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超低介电常数多孔SiCOH薄膜的制备工艺与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，信息技术的迅猛发展深刻改变了人们的生活和工作方式。作为信息技术的核心支撑，集成电路技术不断朝着更小尺寸、更高性能和更低功耗的方向迈进。随着集成电路特征尺寸的持续缩小，金属互连的线宽和间距不断减小，这虽然提高了芯片的集成度和运行速度，但也带来了一系列严峻的问题。其中，最为突出的是电阻-电容（RC）延迟、功耗增加以及信号串扰等问题，这些问题严重制约了集成电路性能的进一步提升。

在集成电路中，绝缘介质材料起着至关重要的作用，它直接影响着芯片的性能、可靠性和成本。传统的二氧化硅（SiO?）绝