半导体的资料Wet-Process-Introduction.pptVIP

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2025-11-28 发布于贵州
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半导体的资料Wet-Process-Introduction.ppt

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WETProcessIntroduction

PurposeofWetCleaningProcessThroughtoaseriesofprocessestomakethewafersfreefromparticles,organiccontaminations,metalcontamination,surfacemicroroughnessandnativeoxideusingsomekindsofchemicalsincludingDIW.

PurposeofWetCleaningProcessForEtchingprocessOxideremove.Nitrideremove.Photoresistpolymerremove.ForCleaningprocessFreeofparticles.Freeofmetalion.Freeoforganic.Freeofmicro-roughness.Freeofnativeoxide.

WetCleaning(Pre-treatment)WetCleaning(Post-treatment)ResistRemovalDiffusionCVDPVDLithographyEtchingDopingWaferInWaferOutICProcessing

WetProcess1. FEOLpost-ashclean 35% -?typicalSPM. -?trendistointegrateresiststripingandcleaning.2. Pre-diffusionclean 30% -?RCAclean -?trendistousedilutechemistriestoreducecost,improveequipment reliabilityandprocessperformance.3. BEOLpost-etchclean 20% -?issueswithtechnical,cost,environment -?trendistousesinglewaferdryclean4. Others(PostCMPandspecialcleaning) 15% -?SC1basedcleaning

ChemicalsInvolved

Wetbench

PurposeofPre-cleanistoremovethelastunwantedoxidelayerandpreparesurfacefreeofmetalliccontaminantsandgoodPCfornextoxidation.Pre-diffusionclean-RCAclean

SiO2(s)+6HF(l)?H2SiF6(l)+2H2O(l)Theetchrate(orreactionrateofHFwithoxide)canbeslowedbyaddingmorewaterandlowerstheconcentrationofHF.HFwilletchBPSGOxideNitSiH2O:HF100:1(50:1,49%)Function:RemoveOxide(SiO2)Mechanism:ReactswithOxideandformasolvablebyproduct.OxideEtchHF

EtchingoffnativeoxideleavinghydrophobicSisurface,repelsH2O,thatispronetoH2OmarkAsamethodtopassivatesurface,H2O2/SC1/SC2lastisused.AftercleaningHFonSi,theSiwaferhasH2SiF6=itischargedupwithSiF62-ions=thishashighaffinitytoattractdefects,duetostrongpolarity.

WhatisH2Omark?ItissomeH2OstainwhichoxidisestheSisurface.Itcanal