硅掺杂锗锑碲相变材料：制备工艺、光电特性及在相变存储器中的应用探索.docx

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2025-11-20 发布于上海
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硅掺杂锗锑碲相变材料：制备工艺、光电特性及在相变存储器中的应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息时代，数据存储技术是信息技术发展的核心支撑。随着大数据、人工智能、物联网等新兴技术的迅猛发展，对数据存储的性能提出了更高要求，如更高的存储密度、更快的读写速度、更低的功耗以及更好的稳定性和耐久性。相变存储器（PhaseChangeMemory,PCM）作为一种极具潜力的新型非易失性存储器，在满足这些需求方面展现出独特的优势，成为当前存储领域的研究热点。

相变存储器的工作原理基于相变材料在晶态和非晶态之间的可逆转变。当相变材料处于晶态时，其原子排列有序，具有较低的电阻率；而处于非晶态