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7.3.2共源极放大电路分压式偏置共源极放大电路自给偏压偏置共源极放大电路1.共源极放大电路*第62页，共95页，星期日，2025年，2月5日MOS管简化的小信号模型*第63页，共95页，星期日，2025年，2月5日动态分析场效应晶体管放大电路的微变等效电路*第64页，共95页，星期日，2025年，2月5日（1）电压放大倍数因为：所以：（2）输入电阻（3）输出电阻*第65页，共95页，星期日，2025年，2月5日7.4多级放大电路 放大电路的级间耦合方式有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合3种，变压器耦合是用变压器作为耦合元件，由于变压器体积大，质量重，目前已很少采用。 阻容耦合或称电容耦合，是用电容作耦合元件*第66页，共95页，星期日，2025年，2月5日~输入级电压放大级电压放大级推动级功率输出级负载中间级小信号放大电路功率放大电路信号源*第67页，共95页，星期日，2025年，2月5日输入特性曲线UCE=0IB/?AUBE/VUBE(on)0.3V10V0U(BR)BEOIEBO+ICBOUCE一定：类似二极管伏安特性。UCE增加：正向特性曲线略右移。返回特性曲线*第30页，共95页，星期日，2025年，2月5日输出特性曲线饱和区UCE/VIB=40?A30?A20?A10?A0输出特性曲线可划分四个区域：返回特性曲线条件：特点：放大区条件：特点：截止区条件：特点：发射结正偏，集电结正偏IC受UCE影响，不受IB控制，UCE略增，IC显著增加。发射结正偏，集电结反偏IC受IB控制，不受VCE控制。发射结反偏，集电结反偏IC?0，IB?0。击穿区：0反向击穿电压U(BR)CEOIC/mA饱和区、放大区、截止区、击穿区。U(BR)CEO安全工作区：*第31页，共95页，星期日，2025年，2月5日IC/mAVCE/V0IB=40?A30?A20?A10?A0特点：条件：发射结正偏，集电结正偏。IC不受IB控制，而受UCE影响。VCE略增，IC显著增加。返回特性曲线饱和区（VBE?0.7V，VCE0.3V）*第32页，共95页，星期日，2025年，2月5日放大区（VBE?0.7V，VCE0.3V）IC/mAVCE/V0IB=40?A30?A20?A10?A0特点条件发射结正偏集电结反偏UCE??曲线略上翘具有正向受控作用满足IC=?IB返回输出特性曲线体现了三极管的放大作用*第33页，共95页，星期日，2025年，2月5日截止区（VBE?0.5V，VCE?0.3V）IC/mAVCE/V0IB=40?A30?A20?A10?A0特点：条件：发射结反偏，集电结反偏。IC?0，IB?0近似为IB≤0以下区域返回输出特性曲线*第34页，共95页，星期日，2025年，2月5日击穿区特点：VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。V(BR)CEO集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。注意：IC/mAVCE/V0IB=40?A30?A20?A10?A0IB=-ICBO(IE=0)V(BR)CBO返回输出特性曲线*第35页，共95页，星期日，2025年，2月5日三极管安全工作区ICUCE0U(BR)CEOICMPCM最大允许集电极电流ICM（若ICICM?造成??）反向击穿电压U(BR)CEO（若UCEU(BR)CEO?管子击穿）UCEU(BR)CEO最大允许集电极耗散功率PCM（PC=ICVCE，若PCPCM?烧管）PCPCM要求IC?ICM返回输出特性曲线*第36页，共95页，星期日，2025年，2月5日3、三极管的主要参数1、共发射极电流放大系数?和共基极电流放大系数（线性工作区）2、集-基极反向饱和电流ICBO指发射极开路，集电极与基极之间加反向电压时产生的电流3、集-射极反向饱和电流ICEO=（1+?）ICBO4、集-射极反向击穿电压U(BR)CEO是基极开路，集电极与发射极间加反向电压时的集电极电流4、集电极最大允许耗散功率PCM=IC*UCE*第37页，共95页，星期日，2025年，2月5日三极管工作于放大区：具有电流放大