WT2000少子寿命仪检测张东91课件.pptxVIP

WT2000少子寿命仪检测主讲教师：张东

目录CONTENTS01.查询国家检测标准02.检测原理及方案03.检测组织实施04.检测结果分析

查询国家标准PART01

一、查询国家标准

检测原理及方案PART02

二、检测原理及方案（一）WT2000少子寿命测试仪设备结构

二、检测原理及方案（二）主要的检测功能少子寿命测量（微波光电导衰减法）。光诱导电流测量。光反射率测量。方块电阻测量（表面光电压法）。体电阻率测量（涡流法）。

二、检测原理及方案（三）测试原理对硅片的少子寿命进行快速、无接触、无损伤测量。具体地说，是使用波长为904nm的激光激发硅片（对于硅，注入深度大约为30um）产生电子-空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，通过微波探测硅片电导率随时间的变化就可以得到少数载流子的寿命。微波光电导衰减法

测试材料：硅、锗等。样片电阻率范围：0.1-1000Ω·cm。激光波长：904nm。光斑直径：1mm。少子寿命测试范围：0.1μs-30ms。二、检测原理及方案（四）性能指标

扫描步长：0.5，1，2，4，8，16mm。测试分辨率：0.1%。测试时间：30ms/数据点。可进行单点或连续扫描（mapping）测试。二、检测原理及方案（四）性能指标

样品表面需要钝化处理。μ-PCD测出来的少子寿命值，包含了体寿命和表面寿命，是两者综合作用的结果。二、检测原理及方案（五）对样品的要求1τmeas1τbulkτsurf+τdiff1==τsurfd2S=τdiffπ2Dn.pd2=τdiff为少子从样品体内扩散到表面所需时间。τdiff为因表面复合产生的表面寿命。τmeas为样品的测试寿命。d为样品厚度。Dn，Dp分别为电子和空穴的扩散系数。S为表面复合速度。

二、检测原理及方案（五）对样品的要求在样品厚度（体少子寿命）一定的情况下，表面复合速率越大，则在测试高体寿命样品时，测量值与实际的体寿命值的偏差会约大；而对于低体寿命的样品（如体寿命为几个μs），这种偏差会降低很多。

检测组织实施PART03

三、检测组织实施（一）钝化处理通常采用化学钝化处理来对硅片便面进行钝化，钝化前先对硅片进行预处理，在HF+HNO3（95%HNO3+5%HF）中浸泡1分钟，然后用碘酒进行钝化。碘酒的浓度控制在0.2~5%，例如在100ml无水乙醇中加入1g碘作为钝化液。将硅片装入透明密封胶带中，注入钝化液使硅片两面都被浸润。测量时将钝化包装的硅片放在测试台上测量即可。为了获得样品真实的体寿命值，最好对样品表面进行钝化处理。

三、检测组织实施（一）钝化处理01准备好碘酒、塑料管和吸管02将硅片放入塑料袋中03将配好的碘酒均匀地涂在硅片的正反面04驱赶出袋中的气泡并封好袋口。随后，便可以进行测试

三、检测组织实施（二）少子寿命仪检测

检测结果分析PART04

四、检测结果分析撰写检测报告书

小结SUMMARY01微波法检测的基本原理；02样品表面钝化处理。最后，我们来回顾一下本小节的内容：

思考THINKING课后，请同学试着回答一下以下思考题：01什么是少子寿命？分析少子寿命在太阳电池中起到的作用？02样品表面为什么要进行钝化处理？

谢谢观看THANKS