武汉大学数电第八章半导体存储器.pptVIP

介绍基本存储单元的工作原理:VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1字线数据线．位线数据线．位线VCCT2T1T3T4由增强型NMOS管T1、T2、T3和T4构成一个基本R-S触发器，它是存储信息的基本单元。而T5和T6是门控管，由字线Wi控制其导通或截止：Wi＝1则导通，否则截止。*第28页，共34页。门控管T5和T6导通时，“读”、“写”操作由读写控制端R/W控制：R/W=0时，1、3门打开，数据由I/O端送入存储器，完成写操作；反之，R/W=1时，1、3门关闭，2门打开，数据由I/O线读出。VCCWiDDI/OR/W123T2T3T4T5T6QQT1VCCT2T1T3T4数据线数据线字线123*第29页，共34页。D1W3W2W1W0地址译码器读写及输入/输出控制I/O1I/O0CSR/WA0A1D1D0D0存储矩阵8.3.2存储器的整体结构*第30页，共34页。8.3.3RAM组件及其连接常用RAM组件的类型很多，以下介绍两种：RAM2114和RAM6116。RAM2114共有10根地址线，4根数据线。故其容量为：1024字×4位（又称为1K×4）RAM6116的容量为：2048字×8位（又称为2K×8）*第31页，共34页。RAM2114、2116的管脚图123456789181716151413121110A2A1A0A3A4A5A6A7A8A9CSGNDVCCD3D2D1D0R/WRAM2114管脚图2345678910232221201918171615A0A1D0A3A4A5A6A9A10CSGNDVCCD3D2D1D4RAM6116管脚图A2A711112141324A8D5D6D7RDWR*第32页，共34页。**武汉大学数电课件第八章半导体存储器第1页，共34页。（优选）武汉大学数电课件第八章半导体存储器*第2页，共34页。存储器是用来存储二值数字信息的大规模集成电路，是进一步完善数字系统功能的重要部件。它实际上是将大量寄存器按一定规律结合起来的整体，可以被比喻为一个由许多房间组成的大旅馆。每个房间有一个号码（地址码），每个房间内有一定内容（一个二进制数码，又称为一个“字”）。§8.1概述*第3页，共34页。大规模集成电路在一块硅半导体的基片上集成了1000个以上的元件(等效100门)的集成电路.分类:从应用的角度分:通用型:存贮器MEMORY．微处理器CPU．单片计算机MCU。专用型：针对特殊用途而专门设计的ASIC。从电路结构分：TTL：双极型，I2L；MOS：单极型，NMOS，CMOS*第4页，共34页。存贮器在计算机中用来存放数据．指令．中间结果及各种资料的存贮装置。存贮器容量：把存贮的二进制位数的总数称为其容量。容量＝字数＊字长分类：工作方式：(1)只读存储器(ROM)(2)读写存储器(RAM)存贮方式：内存贮器外存贮器*第5页，共34页。存贮器：对存贮器的要求容量大速度快功耗小可靠性高集成度高*第6页，共34页。特点：信息只能读出，不能写入分类：从电路结构：二极管ROM，双极型ROM，单极型ROM从编程方式：固定ROM，可编程ROM（PROM），可擦可编ROM，EPROM,PAROM§8.2只读存储器(ROM)ReadOnlyMemory只读存储器，工作时其存储的内容固定不变。因此，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。*第7页，共34页。8.2.1ROM的基本结构及工作原理ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出电路三部分组成。下图是由二极管构成的ROM电路：地址译码器存贮矩阵M＊N输出电路A1A2W0W1W2W3*第8页，共34页。ROM功能及结构地址译码器：选择所需要的单元：寻址存贮阵列：由很多重复排列的结构完全相同的存贮单元构成，每一个存贮单元存贮一位