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半导体设备操作人员技能培训与考核试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填入括号内，每题2分，共30分）

1.半导体制造中最常用的衬底材料是？

A.锗(Ge)

B.砷化镓(GaAs)

C.硅(Si)

D.锡(Sn)

2.在半导体设备中，真空环境的主要目的是为了？

A.提高设备运行速度

B.防止金属部件氧化腐蚀

C.降低设备能耗

D.增强等离子体反应效率

3.光刻工艺中，用于传递图形信息的载体是？

A.掩模版(Mask)

B.光刻胶(Photoresist)

C.衬底(Substrate)

D.显影液(Developer)

4.刻蚀工艺中，使用等离子体进行刻蚀的主要优势是？

A.刻蚀速率极低

B.刻蚀方向性差

C.可以实现高选择性和精细结构刻蚀

D.只能刻蚀特定材料

5.薄膜沉积工艺中，化学气相沉积（CVD）的主要反应物是？

A.气态物质

B.固态物质

C.液态物质

D.金属粉末

6.半导体制造过程中，离子注入的主要目的是？

A.沉积绝缘层

B.改变半导体材料的导电类型和阈值电压

C.刻蚀金属线路

D.光刻图形

7.ESD（静电放电）防护措施中，最基本的要求是？

A.穿着普通工作服

B.使用防静电手环并接地

C.高跟鞋进入车间

D.使用塑料工具操作设备

8.设备运行过程中，压力稳定性的重要性主要体现在？

A.节约能源

B.确保工艺参数准确，提高产品良率

C.降低设备噪音

D.延长设备寿命

9.设备日常点检的主要内容不包括？

A.检查仪表读数是否正常

B.清洁设备反应腔内部

C.检查关键部件的温度

D.检查设备接地是否良好

10.发现设备出现异常报警，首先应该采取的措施是？

A.立即尝试自行修复

B.严格按照SOP尝试关机或切换

C.忽略报警继续观察

D.立即上报给班组长或维修人员

11.光刻胶在曝光后，需要经过哪种处理去除未曝光部分的胶？

A.热处理

B.湿法显影

C.干法刻蚀

D.化学清洗

12.半导体车间对湿度的控制主要是为了？

A.舒适员工工作环境

B.防止静电积累

C.防止产品吸湿变质或金属部件腐蚀

D.提高设备运行效率

13.设备操作记录应真实、准确、完整，其主要目的是？

A.方便操作员聊天记录

B.满足管理人员检查要求

C.为工艺优化和质量追溯提供依据

D.减少书写工作量

14.下列哪项不属于半导体制造中的常规污染物？

A.粉尘

B.水汽

C.氮氧化物(NOx)

D.空气

15.设备关机流程中，最后通常需要执行的操作是？

A.关闭主电源开关

B.关闭真空泵和反应气阀门

C.清洁设备工作台面

D.检查设备内部是否有残留物

二、判断题（请将“正确”或“错误”填入括号内，每题1分，共15分）

1.()半导体制造过程总是在高温下进行的。

2.()等离子体是电离的气体，具有很高的导电性。

3.()光刻工艺中，正胶在曝光后变硬，用于形成保护层。

4.()离子注入后的半导体材料性能会立即发生显著变化。

5.()设备的维护保养只需要由专业维修人员来完成。

6.()在清洁设备时，可以使用任何清洁剂。

7.()静电放电（ESD）对半导体器件可能造成永久性损坏。

8.()操作记录只需要记录设备运行是否正常即可。

9.()发现化学品泄漏时，应立即用干布擦拭。

10.()半导体制造车间必须保持严格的正压状态。

11.()设备开机前，必须确认所有安全防护装置已启用。

12.()不同材料的掩模版适用于所有刻蚀工艺。

13.()良好的个人卫生习惯对半导体制造车间无实际意义。

14.()设备异常时，可以自行修改设备参数尝试解决。

15.()半导体器件对水分非常敏感，因此车间湿度控制非常重要。

三、填空题（请将正确答案填入横线上，每空1分，共20分）

1.半导体制造过程通常在超高真空环境下进行，以防止