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1.输入特性曲线UCE?1VIB(?A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。*第29页，共45页，星期日，2025年，2月5日2.输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关:IC=?IB。*第30页，共45页，星期日，2025年，2月5日IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。*第31页，共45页，星期日，2025年，2月5日IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020?A40?A60?A80?A100?A此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE死区电压称为截止区。*第32页，共45页，星期日，2025年，2月5日·输出特性三个区域的特点：放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=?IB,?IC=??IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCE?UBE，?IBIC，UCE?0.3V(3)截止区：UBE死区电压，IB=0，IC=ICEO?0*第33页，共45页，星期日，2025年，2月5日电工与电子到章教案*第1页，共45页，星期日，2025年，2月5日7.1.1本征半导体GeSi·锗和硅都是四价元素，最外层都是四个电子。·本征半导体—完全纯净的、具有晶体结构的半导体。（99.9999999﹪）+4简化表示+4表示除价电子以外的部分*第2页，共45页，星期日，2025年，2月5日·半导体晶体中，相邻原子之间以共价键结合。每个原子的最外层均是八个电子，形成稳定结构。共价键共用电子对+4+4+4+4硅和锗的共价键结构·共价键中的电子称束缚电子，束缚电子不导电。·常温下束缚电子很难成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱。*第3页，共45页，星期日，2025年，2月5日+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子·常温下，一些价电子获得足够的能量，成为自由电子(称热激发)，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。·本征半导体中自由电子和空穴的数量相等。*第4页，共45页，星期日，2025年，2月5日·在力的作用下，空穴能吸引附近的电子来填补，这相当于空穴的迁移，空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。·本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。·半导体的导电能力取决于载流子的浓度。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。·半导体的特点:温度对半导体性能的影响很大。*第5页，共45页，星期日，2025年，2月5日7.1.2杂质半导体·在本征半导体中掺入微量的某些杂质，会使半导体的导电性能显著提高。原因是掺杂使半导体的某种载流子浓度大大增加。1.N型半导体·在本征半导体中掺入少量的五价元素磷，晶体中的某些半导体原子被杂质取代。+4+4+5+4磷原子多余电子·磷原子最外层有五个价电子，四个与相邻的半导体原子形成共价键，多出的一个电子，很容易激发成为自由电子。*第6页，共45页，星期日，2025年，2月5日·N型半导体中，掺杂形成的自由电子是热激发的(103～104)倍；自由电子数量大大多于空穴数量。自由电子称多数载流子（多子），空穴称少数载流子（少子）；N型半导体主要靠电子导电。2.P型半导体空穴硼原子+4+4+3+4·在本征半导体中掺入少量的三价元素硼，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空