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微通道辅助涂布技术：图案化有机单晶阵列制备与场效应晶体管性能研究.docx

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    微通道辅助涂布技术：图案化有机单晶阵列制备与场效应晶体管性能研究

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    随着科技的飞速发展，有机半导体材料在电子器件领域展现出巨大的应用潜力，有机场效应晶体管（OFETs）作为其中的关键元件，受到了广泛关注。有机单晶由于其完美的晶体结构，不存在晶界和缺陷，具备优异的电学性能，如高载流子迁移率、良好的电荷传输特性等，是制备高性能OFETs的理想材料。然而，如何实现有机单晶的图案化阵列制备，一直是该领域的研究难点。传统的制备方法，如物理气相沉积法，虽然能够制备出高质量的单晶，但设备昂贵、制备过程复杂，且难以实现大面积图案化；溶液法虽成本较低、操作简便，但在晶体生长的

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