氮化镓纳米线阵列材料：生长设计、光-电性能及应用探索.docx

下载文档

0
0
约2.43万字
约 21页
2025-10-19 发布于上海
举报
版权申诉
保障服务

氮化镓纳米线阵列材料：生长设计、光-电性能及应用探索.docx

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

氮化镓纳米线阵列材料：生长设计、光-电性能及应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的大家族中，氮化镓（GaN）凭借其卓越的物理特性，逐渐崭露头角，成为了研究的焦点。氮化镓是一种直接宽带隙半导体材料，其禁带宽度高达3.4eV，拥有高电子迁移率、高热导率以及良好的化学稳定性等诸多优势，在高温、高压、高频等极端条件下仍能保持出色的性能。这些优异的特性，使得氮化镓在半导体领域展现出了巨大的应用潜力。

氮化镓纳米线阵列材料作为氮化镓材料的一种特殊形态，具有独特的一维纳米结构。这种结构不仅赋予了材料量子限域效应、高比表面积等特性，还使得氮化镓纳米线阵列在光电器件领域展现出了非凡的应