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+-bceRL1k?共射极放大电路共射极放大电路VBBVCCVBEIBIEIC+-?vI+?vBE?vO+-+?iC+?iE+?iB?vI=20mV设若则电压放大倍数?iB=20uA?vO=-?iC?RL=-0.98V，?=49使（4）放大作用第30页，共58页，星期日，2025年，2月5日综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。第31页，共58页，星期日，2025年，2月5日输入特性曲线的三个部分①死区 ②非线性区③线性区 （1）输入特性曲线（以共射极放大电路为例）iB=f(vBE)?vCE=const3三极管的特性曲线+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCE第32页，共58页，星期日，2025年，2月5日iC=f(vCE)?iB=const（2）输出特性曲线输出特性曲线的三个区域:放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时，vBE小于死区电压。第33页，共58页，星期日，2025年，2月5日（1）电流放大系数4三极管的主要参数(a)共发射极交流电流放大系数??=?IC/?IB?vCE=const(b)共基极交流电流放大系数αα=?IC/?IE?VCB=const当ICBO和ICEO很小时，直流放大系数和交流放大系数，可以不加区分。第34页，共58页，星期日，2025年，2月5日(b)集电极发射极间的反向饱和电流ICEOICEO=（1+）ICBO（2）极间反向电流ICEO (a)集电极基极间反向饱和电流ICBO发射极开路时，集电结的反向饱和电流。即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。ICEO也称为集电极发射极间穿透电流。第35页，共58页，星期日，2025年，2月5日(a)集电极最大允许电流ICM(b)集电极最大允许功率损耗PCMPCM=ICVCE（3）极限参数第36页，共58页，星期日，2025年，2月5日(c)反向击穿电压?V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。?V(BR)EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。?V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射极间的击穿电压。几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR)EBO（3）极限参数第37页，共58页，星期日，2025年，2月5日N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)分类：利用电场效应来控制电流的半导体器件。特点：控制端基本上不需要电流，受温度等外界条件影响小，便于集成。四场效应管第38页，共58页，星期日，2025年，2月5日源极，用S或s表示N型导电沟道漏极，用D或d表示P型区P型区栅极，用G或g表示栅极，用G或g表示符号符号（a）结构#符号中的箭头方向表示什么？（1）JFET的结构和工作原理1、结型场效应管第39页，共58页，星期日，2025年，2月5日（b）工作原理①UGS对沟道的控制作用当UGS＜0时，UDS=0（以N沟道JFET为例）当沟道夹断时，对应的栅源电压UGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。对于N沟道的JFET，VP0。PN结反偏耗尽层加厚沟道变窄。??UGS继续减小，沟道继续变窄第40页，共58页，星期日，2025年，2月5日②UDS对沟道的控制作用当UGS=0时，UDS??ID