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安徽2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术高频题(考点)

一、单选题（每题2分，共20题）

1.在半导体制造过程中，以下哪种气体通常用于蚀刻硅材料？

A.氮气

B.氢氟酸（HF）

C.氧气

D.氮化硅（Si?N?）

2.等离子体增强化学蚀刻（PEC）技术中，常用的等离子体气体不包括：

A.硅烷（SiH?）

B.氮气（N?）

C.氟化氢（CF?）

D.氢气（H?）

3.半导体晶圆的清洗过程中，以下哪种化学品主要用于去除有机污染物？

A.硫酸（H?SO?）

B.氢氧化钠（NaOH）

C.超纯水（DI水）

D.热氧化剂（H?O?）

4.在光刻工艺中，以下哪种材料常用于制备光刻胶？

A.聚酰亚胺

B.聚四氟乙烯（PTFE）

C.聚乙烯醇（PVA）

D.聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）

5.半导体器件的刻蚀过程中，干法刻蚀与湿法刻蚀的主要区别在于：

A.刻蚀速率

B.刻蚀均匀性

C.刻蚀选择性

D.能耗

6.在离子注入工艺中，以下哪种离子源常用于注入砷（As）原子？

A.氮离子（N?）

B.硼离子（B?）

C.磷离子（P?）

D.砷离子（As?）

7.半导体制造中，以下哪种设备用于晶圆的自动键合？

A.光刻机

B.蚀刻机

C.离子注入机

D.键合机

8.在退火工艺中，以下哪种温度范围常用于激活离子注入的杂质？

A.200°C以下

B.500-900°C

C.1000°C以上

D.1500°C以上

9.半导体器件的金属化工艺中，以下哪种材料常用于制备互连线？

A.铝（Al）

B.钛（Ti）

C.铬（Cr）

D.镍（Ni）

10.在半导体制造过程中，以下哪种工艺主要用于去除晶圆表面的自然氧化层？

A.热氧化

B.湿法清洗

C.干法蚀刻

D.离子注入

二、多选题（每题3分，共10题）

1.半导体制造中，以下哪些化学品常用于湿法清洗？

A.硫酸（H?SO?）

B.氢氧化钾（KOH）

C.氢氟酸（HF）

D.超纯水（DI水）

2.在光刻工艺中，以下哪些因素会影响光刻胶的分辨率？

A.光源波长

B.光刻胶厚度

C.曝光剂量

D.显影条件

3.半导体器件的刻蚀过程中，以下哪些参数会影响刻蚀均匀性？

A.刻蚀速率

B.气体流量

C.温度控制

D.晶圆旋转速度

4.在离子注入工艺中，以下哪些因素会影响注入的离子能量？

A.加速电压

B.离子源类型

C.离子源电流

D.注入时间

5.半导体制造中，以下哪些设备常用于晶圆的搬运？

A.传送带

B.机器人手臂

C.真空吸笔

D.旋转平台

6.在退火工艺中，以下哪些类型的热处理可以用于激活离子注入的杂质？

A.快速热退火（RTA）

B.慢速热退火（LTA）

C.激光退火

D.电子束退火

7.半导体器件的金属化工艺中，以下哪些材料常用于制备电极？

A.铝（Al）

B.钯（Pd）

C.铜（Cu）

D.金（Au）

8.在半导体制造过程中，以下哪些工艺可以用于去除晶圆表面的颗粒？

A.超声波清洗

B.湿法清洗

C.干法清洗

D.等离子体清洗

9.半导体器件的封装工艺中，以下哪些材料常用于制备封装材料？

A.玻璃陶瓷

B.硅橡胶

C.金属基板

D.聚酰亚胺

10.在半导体制造过程中，以下哪些因素会影响器件的可靠性？

A.工艺温度

B.湿法清洗

C.离子注入剂量

D.金属化工艺

三、判断题（每题2分，共10题）

1.半导体制造中的湿法清洗通常使用强酸或强碱溶液。（正确）

2.光刻胶的分辨率越高，器件的集成度越高。（正确）

3.干法刻蚀通常比湿法刻蚀的刻蚀选择性更高。（正确）

4.离子注入工艺中，离子能量越高，注入深度越深。（正确）

5.退火工艺可以用于去除晶圆表面的颗粒。（错误）

6.金属化工艺中，铝（Al）常用于制备互连线。（正确）

7.半导体器件的封装工艺中，玻璃陶瓷常用于制备封装材料。（正确）

8.在半导体制造过程中，超纯水（DI水）常用于去除有机污染物。（正确）

9.等离子体增强化学蚀刻（PEC）技术中，常用的等离子体气体包括硅烷（SiH?）和氟化氢（CF?）。（正确）

10.半导体器件的可靠性主要受工艺温度和离子注入剂量影响。（正确）

四、简答题（每题5分，共5题）

1.简述半导体制造中湿法清洗的原理及其主要作用。

2.光刻工艺中，影响光刻胶分辨率的主要因素有哪些？

3.离子注入工艺中，如何控制注入的离子能量和剂量？

4.半导体器件的金属化工艺中，铝（Al）和铜（Cu）各有什么优缺点？

5.简述半导体制造中退火工艺的主要作用及其类型。