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安徽2025自考[大功率半导体科学]半导体制造技术考前冲刺练习题

一、单选题（共10题，每题2分，合计20分）

1.在安徽合肥集成电路产业基地，制造大功率MOSFET时，通常采用哪种离子注入技术来优化阈值电压？

A.硼离子注入

B.硅离子注入

C.磷离子注入

D.锗离子注入

2.安徽铜陵地区某半导体企业生产600VIGBT时，为提高器件的耐压能力，常采用哪种栅极氧化层工艺？

A.突变结栅极氧化

B.超厚氧化层工艺

C.氮化硅覆盖氧化层

D.干法氧化工艺

3.在安徽芜湖某晶圆厂进行大功率器件的退火处理时，以下哪种方法最能有效减少晶体缺陷？

A.真空退火

B.氮气氛围退火

C.氢气氛围退火

D.快速热退火（RTA）

4.安徽合肥某企业研发的650VSiCMOSFET，其栅极介质材料通常选用哪种？

A.SiO?

B.Si?N?

C.Al?O?

D.HfO?

5.制造大功率IGBT时，安徽南京某企业采用的多晶硅外延层厚度通常为多少？

A.10-20μm

B.50-100μm

C.200-300μm

D.500-1000μm

6.在安徽蚌埠某半导体厂，加工大功率器件的金属接触层时，常用哪种材料作为电极？

A.金（Au）

B.银合金（Ag合金）

C.铜合金（Cu合金）

D.铂（Pt）

7.安徽马鞍山某企业生产200VMOSFET时，为提高器件的导通电阻，常采用哪种沟槽结构？

A.深沟槽结构

B.浅沟槽结构

C.V型沟槽结构

D.U型沟槽结构

8.在安徽黄山某半导体实验室，检测大功率器件的栅极氧化层质量时，常用哪种方法？

A.C-V测试

B.I-V测试

C.R-L测试

D.ESR测试

9.制造650VSiCIGBT时，安徽芜湖某企业通常采用哪种散热结构？

A.直接铜基板散热

B.芯片粘结散热

C.热管散热

D.液冷散热

10.在安徽安庆某晶圆厂，清洗大功率器件晶圆时，常用哪种溶液？

A.HF溶液

B.SC-1溶液

C.DHF溶液

D.SPM溶液

二、多选题（共5题，每题3分，合计15分）

1.安徽合肥某企业生产600VIGBT时，为提高器件的开关性能，需要优化哪些工艺参数？

A.栅极氧化层厚度

B.肖特基接触材料

C.多晶硅栅极掺杂浓度

D.基区厚度

E.芯片尺寸

2.在安徽铜陵某晶圆厂，制造大功率MOSFET时，以下哪些工序属于高温工艺？

A.外延生长

B.离子注入

C.退火处理

D.薄膜沉积

E.光刻

3.安徽芜湖某企业生产SiCMOSFET时，为提高器件的耐高温性能，常采用哪些措施？

A.SiC衬底掺杂

B.栅极介质材料优化

C.芯片封装技术改进

D.散热结构设计

E.离子注入能量控制

4.在安徽蚌埠某半导体厂，检测大功率器件的耐压性能时，常用哪些测试方法？

A.C-V特性测试

B.I-V特性测试

C.高温反偏测试

D.漏电流测试

E.栅极电荷测试

5.制造大功率IGBT时，安徽南京某企业常采用哪些封装技术？

A.直接覆铜板（DBC）封装

B.螺柱型封装

C.扁平无引线（BGA）封装

D.贴片封装

E.液冷封装

三、判断题（共10题，每题1分，合计10分）

1.安徽合肥某企业生产600VIGBT时，通常采用氮化硅作为栅极介质材料。（×）

2.制造大功率器件时，安徽铜陵某企业常采用快速热退火（RTA）来减少晶体缺陷。（√）

3.安徽芜湖某企业生产SiCMOSFET时，其栅极氧化层厚度通常为1-2μm。（√）

4.在安徽蚌埠某晶圆厂，清洗大功率器件晶圆时常用HF溶液。（×）

5.制造大功率IGBT时，安徽南京某企业常采用铜合金作为电极材料。（√）

6.安徽马鞍山某企业生产200VMOSFET时，通常采用深沟槽结构来提高导通电阻。（×）

7.在安徽黄山某半导体实验室，检测大功率器件的栅极氧化层质量时常用R-L测试。（×）

8.安徽安庆某企业生产650VSiCIGBT时，常采用热管散热结构。（√）

9.制造大功率器件时，安徽合肥某企业常采用多晶硅外延层来优化器件性能。（√）

10.安徽铜陵某企业生产600VIGBT时，通常采用干法氧化工艺来制备栅极氧化层。（×）

四、简答题（共4题，每题5分，合计20分）

1.简述安徽合肥某企业在制造600VIGBT时，如何优化器件的开关性能？

答：优化开关性能需从以下方面入手：

（1）优化栅极氧化层厚度，降低栅极电荷；

（2）采用低比导通电阻的肖特基接触材料；

（3）控制多晶硅栅极掺杂浓度，提高器件响应速度；

（4）优化基区厚度，减少开关损耗。

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