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微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleIntegratedCircuitFabricationProcess“集”“微”成著·用“芯”圆梦
第七章化学气相淀积Chapter7CVD-ChemicalVapourDeposition(一)
第六章PVD:技术特征与局限1)(真空)蒸发法优点:较高淀积速率,较高薄膜质量(系统真空度高)缺点:温度高,台阶覆盖能力差,淀积多元薄膜时组份难控制2)溅射法优点:低温,多元薄膜组份易控制,台阶覆盖能力强应用:溅射法在很大程度上已经取代了真空蒸发法第六章物理气相淀积PhysicalVaporDeposition蒸发溅射工艺原
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