微纳集成电路制造工艺 课件 第5章 离子注入工艺 .pptx

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微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleIntegratedCircuitFabricationProcess西安电子科技大学集成电路学部微电子学院戴显英“集”“微”成著·用“芯”圆梦

第五章离子注入(一)Chapter5IonImplantation

1、对扩散工艺特性表述正确的是()。扩散是低温工艺扩散是高温工艺扩散工艺的浓度分布是均匀分布的扩散工艺的浓度分布是梯度分布的ABCD提交多选题1分

第五章离子注入扩散工艺的技术特征与局限性IonImplantation扩散工艺技术特征:高温工艺:与氧化工艺温度相同,常与氧化同时进行扩散的掩膜:耐高温的热氧化SiO

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