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微纳集成电路制造工艺 课件 第4章扩散工艺；第5章 离子注入工艺（1）.pptx

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    ;第四章扩散工艺

    Chapter4Diffusion;本章主要内容;学习要求与重点和难点;关于掺杂(Doping);半导体制造常用杂质;具有掺杂区的CMOS结构;定义：将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达到将杂质扩散到硅片内的目的。

    方法：

    按掺杂源的形态分类：

    ①固体源扩散：BN；开管扩散、箱法扩散、涂源法扩散；

    ②液态源扩散：POCl3

    ③气态源扩散：PH3，BH3

    按扩散形式来分类：

    ①气相→固相扩散（三种源都可用）

    ②固相→固相扩散

    ③液相→固相扩散;扩散掺杂示意;4.1扩散机制Diffusionmechanism

    ;4.1.2替位式扩散

    定义：杂质原子从一个

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