微纳集成电路制造工艺教学课件第9章光刻工艺(3)先进的光刻技术及发展趋势.pptxVIP

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微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleIntegratedCircuitFabricationProcessMI014025西安电子科技大学集成电路学部微电子学院戴显英“集”“微”成著·用“芯”圆梦

专题研讨(2)-先进的光刻技术及发展趋势Seminar(2)Advancedlithographytechnologyanddevelopmenttrend西安电子科技大学微电子学院戴显英2022.4.6

主要内容光刻技术的发展与趋势光刻机原理与结构StepperandScanner光刻机提高光刻分辨率的途径浸入式光刻高NA分辨率增强技术-RET光学邻近修正技术-OPC移相掩膜技术-PMS极性离轴照明技术-OAI双图形曝光技术-DPT集成电路制造技术与实践专题研讨2-先进的光刻技术与发展趋势

集成电路制造技术ExposurewavelengthG-436I-365KrF-248ArF-193EUV-13.535025018013090651145223216光刻光源波长的发展与趋势Lithography–HistoryRoadmap?专题研讨(2)-先进的光刻技术及发展趋势

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集成电路制造技术Scanner光刻机设计指标NumericalApertureofProjectionLens0.75~0.50Litho.Resolution(Lines/Spaces)?100nmImageSize?22mm?8mmMagnification-0.25?DepthofFocus?0.60?m(@130nmresolution)?0.50?m(@100nmresolution)Reticlepatternsize88mm?128mmExposurefieldsizeonwafer(max)22mm?32mmScanningspeed(max)reticlestagewaferstage1000mm/s250mm/s第九章光刻技术与发展趋势

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