微纳集成电路制造工艺教学课件第11章金属化工艺.pptxVIP

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2025-10-01 发布于广东
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微纳集成电路制造工艺教学课件第11章金属化工艺.pptx

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;第十一章金属化工艺

Chapter11Metallization;金属化材料及应用-ApplicationofMetallization

Al的尖楔现象与电迁移现象-JunctionSpikeandElectromigrationofAl

Ti-TiN的作用-FunctionofTi-TiN

多晶硅栅-PolySiGate

自对准金属硅化物-Self-AlignedSilicide

互连线延迟降低的途径-MethodofReduingInterconnectionDelay

Cu互连的优缺点其关键工艺-Advantages,Disadvantages,andkeytechnologyofCuInterconnection

平坦化的必要性与CMP的应用-NecessityofplanarizationandapplicationofCMP;;11.1金属化基本概念ConceptofMetallization

;互连材料－Interconnection;现代SiCMOSIC的标准金属化;金属化工艺教学视频;11.2金属化材料及应用;11.2金属化材料及应用;;;;1、对多晶硅栅工艺表述正确的是（）。;;;;;;;集成电路制造技术;11.4Cu互连-CuInterconnection;;;;;Cu互连工艺流程;铜金属化-CopperMetallization;多层Cu互连CuMultilayerInterconnection;3、对Cu互连工艺表述正确的是（）。;11.5多层互连与平坦化;;;;AdvantagesofCMP;;;集成电路制造技术;11.7CMOSICCu互连工艺流程;;;;;本章小结;