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Beta-氧化镓异质外延薄膜：制备工艺、特性及应用前景.docx

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    Beta-氧化镓异质外延薄膜：制备工艺、特性及应用前景

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    半导体材料作为现代电子产业的基石，其发展历程见证了科技的飞速进步。从第一代半导体材料硅（Si）、锗（Ge），到第二代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP），再到如今备受瞩目的第三代半导体材料，每一次材料的变革都带来了电子器件性能的飞跃，推动了通信、能源、交通等众多领域的革新。

    第三代半导体材料，也被称为宽禁带半导体材料，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AIN）等为代表，其中碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）发展较为成熟。与前两代半导体材料相比，它们具有更宽的

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