微纳集成电路制造工艺教学课件第9章 光刻工艺(2).pptxVIP

微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleIntegratedCircuitFabricationProcess西安电子科技大学集成电路学部微电子学院戴显英“集”“微”成著·用“芯”圆梦

混合式教学观摩公开课2023年第20期混合式教学示范观摩公开课教育部中西部高校青年教师融合式教学进修项目微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleICFabricationProcess

第九章光刻工艺混合式教学设计线上1.0学时，线下4.0学时。3.1学习目标：（对课程的能力目标和素质目标的贡献最大）①知识目标：理解掌握光刻工艺原理和光刻三要素，熟悉现代光刻工艺流程，总结提高光刻分辨率的方法与途径。②能力目标：独立进行光刻工艺仿真、分析影响光刻分辨率的关键工艺因素、设计光刻工艺流程。③素质目标：培养创新思维方式，深刻理解卡脖子关键技术，树立发展自主光刻技术的自信心。3.2内容与资源：工艺流程为主线，三要素为重点，分辨率为核心，构建现代光刻工艺知识体系（1）教学内容：光刻工艺流程及原理、光刻机与光源、光刻版、光刻胶、光刻分辨率及提高分辨率的方法与途径，193nm浸入式光刻技术和极紫外光刻技术（专题研讨），光刻工艺仿真实验。（2）学习平台及资源：本课程SPOC、优质MOOC。中国大学MOOC：本课程-现代集成电路制造技术，开课2次学在西电SPOC：课件、教学视频、学习资料、作业、活动e-MOOC：集成电路制造技术与实践，开课2次微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleICFabricationProcess

课程思政：以EUV卡脖子关键技术为切入点，指导学生理解光刻重要性和国家发展战略，培养科学精神。（3）教学设计：工艺流程为主线、光刻三要素为重点、光刻分辨率为核心，回溯递进教学问题导向：课前思考、课中研讨、课后应用，由浅入深，贯穿整个章节教学①什么是光刻，说一说你所知道的有关光刻工艺的知识。（9.0节）③什么是光刻分辨率，影响光刻分辨率的主要因素有哪些？（9.4节）⑥从193nm浸入式光刻技术的颠覆性创新得到什么启示？（9.4节及专题研讨）⑦阐述中国光刻技术发展如何弯道超车或换道超车？（翻转课堂）课堂讲授：光刻分辨率为核心，光刻三要素为重点翻转课堂：先进光刻技术，拓展学术视野光刻工艺仿真与设计实践教学：掌握工艺原理，提高分析问题和实践能力。案例：193i光刻创新技术，启发创新思维第九章光刻工艺混合式教学设计微纳集成电路制造工艺Micro-nanoscaleICFabricationProcess

第九章光刻工艺（二）Chapter9Photolithography西安电子科技大学微电子学院戴显英2023.04.12

光刻三要素与重要性：理解光刻机、光刻版、光刻胶光刻重要性：最小特征尺寸、成本、生产周期、自主技术卡脖子关键问题最多制约我国集成电路技术与产业发展的卡脖子问题和关键技术我国发展集成电路的重大举措上节知识点回顾第九章光刻工艺Photolithography光刻工艺流程及其原理：熟悉掌握10个步骤（熟悉）：清洗、预处理（预烘+打底膜）、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影、坚膜、检查4个热处理的目的与作用：熟悉掌握

2）曝光光源：（熟悉掌握）课后学习：1、为什么F2光源没有实际应用？2、193nm光源为什么能延续到10nm工艺节点早期：紫外（UV），高压汞灯436nm的g线：用于0.5μm工艺365nm的i线：用于0.35μm工艺现代：深紫外（DUV），激光器KrF：λ=248nm，0.25-0.13μm工艺。ArF：λ=193nm，0.13μm工艺,但通过浸入式曝光技术，延续到10nm。F2:λ=157nm，0.1μm工艺，但未商用。（Why?）最先进：极短紫外光（EUV）λ＝14nm应用：10nm以下工艺-7nm、5nm、3nm思考5：为什么特征尺寸越小，曝光光源的波长越短？第九章光刻工艺Photolithography上节知识点回顾

集成电路制造技术第九章光刻工艺第三节3、对光刻工艺流程顺序表述正确的是（）。预烘、涂胶、前烘、曝光、后烘、显影、坚膜预烘、前烘、后烘、涂胶、坚膜、曝光、显影预烘、前烘、涂胶、后烘、曝光、坚膜、显影涂胶、预烘、前烘、曝光、显影、后烘、坚膜ABCD提交单选题1分

SPOC在线学习情况统计-9.4光刻分辨率第九章光刻工艺Photolithography

提高光刻分辨率的途径有（）。增大曝光波长减小曝光波长增大数值孔径NA减小数值孔径NAABCD提交课前SPOC学习雨课堂测试多选题1分

小组讨论总结：1、减小波长为什么能减小特征尺寸（或提高光刻分辨率）？课前学习问题小组讨论总结Lithography–H