电子全息技术：解锁半导体材料应变与压电效应的微观奥秘.docx

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2025-09-21 发布于上海
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电子全息技术：解锁半导体材料应变与压电效应的微观奥秘

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代电子学的基石，在过去几十年中取得了飞速发展，从早期的简单硅基器件到如今复杂的化合物半导体和纳米结构，其性能的提升与新特性的探索一直是研究的核心。随着器件尺寸不断缩小，进入纳米尺度范围，量子效应、界面效应等变得愈发显著，对半导体材料的性能和特性产生了深刻影响。其中，应变和压电效应在纳米半导体器件中的重要性日益凸显，成为制约器件性能进一步提升和新功能开发的关键因素。

应变在半导体材料中能够显著改变其能带结构，进而对载流子的迁移率、有效质量等输运性质产生影响。通过引入合适的应变，可以有效提升晶体