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InP基RTD-HEMT及其单片MMIC集成设计：性能优化与应用拓展.docx

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    InP基RTD-HEMT及其单片MMIC集成设计：性能优化与应用拓展

    一、引言

    1.1研究背景与意义

    随着现代通信和电子系统对高性能、高速度、低功耗以及小型化的需求不断增长，半导体器件和集成电路技术面临着前所未有的挑战与机遇。在众多半导体材料和器件结构中，InP基RTD-HEMT（共振隧穿二极管-高电子迁移率晶体管）以其独特的物理特性和优异的电学性能，逐渐成为研究的热点，并在高性能集成电路中展现出巨大的应用潜力。

    InP材料具有高饱和电子迁移率、高击穿电场以及良好的热导率等优势，基于InP材料的HEMT器件能够实现高频率、低噪声以及高增益的性能表现。HEMT利用异质

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