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《检测与传感技术》期末考试复习题库(含答案)

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.以下关于传感器静态特性的描述中，错误的是（）

A.线性度是指传感器输出-输入特性曲线与拟合直线的偏离程度

B.灵敏度是输出变化量与输入变化量的比值，单位为输出量单位/输入量单位

C.迟滞反映传感器在正（输入量增大）反（输入量减小）行程中输出-输入特性曲线的不重合程度

D.重复性是指传感器在相同工作条件下，输入量按同一方向连续多次变化时输出特性的不一致程度

答案：D（重复性强调“同一方向连续多次”，而迟滞是正反行程的差异）

2.电阻应变片的工作原理基于（）

A.压电效应B.应变效应C.压阻效应D.热电效应

答案：B（应变效应是金属导体因机械形变导致电阻变化的现象；压阻效应是半导体材料因应力引起电阻率变化的现象）

3.变极距型电容传感器的灵敏度与初始极距d?的关系是（）

A.灵敏度与d?成正比B.灵敏度与d?成反比

C.灵敏度与d?的平方成反比D.灵敏度与d?的平方成正比

答案：C（变极距型电容公式C=εA/d?，灵敏度S=dC/dd=-εA/d?2，故与d?2成反比）

4.差动变压器式电感传感器（LVDT）的输出电压与铁芯位移的关系为（）

A.线性关系B.平方关系C.对数关系D.指数关系

答案：A（LVDT通过两个次级线圈差动连接，输出电压与铁芯位移成近似线性关系）

5.压电式传感器不能用于静态测量的主要原因是（）

A.压电材料的居里点低B.电荷容易泄漏

C.输出信号微弱D.频率响应范围窄

答案：B（压电传感器输出为电荷信号，静态测量时电荷无法持续积累，易通过测量电路泄漏）

6.以下属于外光电效应的器件是（）

A.光敏电阻B.光电池C.光电倍增管D.光敏二极管

答案：C（外光电效应指电子逸出表面，如光电管、光电倍增管；内光电效应包括光电导效应（光敏电阻）和光生伏特效应（光电池、光敏二极管））

7.霍尔传感器的输出电压与（）成正比

A.输入电流与磁感应强度的乘积B.输入电流与磁感应强度的比值

C.输入电流的平方与磁感应强度的乘积D.输入电流与磁感应强度的平方的乘积

答案：A（霍尔电压公式UH=KH·I·B，其中KH为霍尔系数）

8.热电偶的热电势由（）组成

A.接触电势和温差电势B.应变电势和接触电势

C.温差电势和压电势D.接触电势和光生电势

答案：A（热电势包括两种导体接触产生的接触电势，以及同一导体两端温差产生的温差电势）

9.热电阻传感器中，铂电阻的主要优点是（）

A.价格低廉B.测量范围宽（-200℃~850℃）

C.非线性严重D.响应速度快

答案：B（铂电阻精度高、稳定性好，测量范围宽；价格较高，线性度较好）

10.以下不属于检测系统基本组成的是（）

A.敏感元件B.信号调理电路C.执行机构D.显示记录装置

答案：C（检测系统通常包括敏感元件、转换元件、信号调理、显示记录，执行机构属于控制系统）

11.某传感器的输入量程为0~100℃，输出量程为0~5V，其灵敏度为（）

A.0.05V/℃B.20℃/VC.5V/℃D.0.5V/℃

答案：A（灵敏度=输出变化量/输入变化量=5V/100℃=0.05V/℃）

12.为减小应变片测量时的温度误差，可采用（）

A.单臂电桥B.半桥差动接法C.增加应变片数量D.减小供桥电压

答案：B（半桥差动接法中，两个应变片一个受应变、一个受温度影响，可抵消温度误差）

13.电容传感器的测量电路中，电桥电路适用于（）

A.变介电常数型B.变面积型C.变极距型D.所有类型

答案：C（变极距型电容变化小，电桥电路可放大微小变化；变面积型电容变化大，可用脉冲调宽电路）

14.以下关于MEMS传感器的描述，错误的是（）

A.基于微机电系统技术制造B.体积小、功耗低

C.难以批量生产D.可集成多种功能

答案：C（MEMS采用半导体工艺，可批量生产）

15.检测系统的动态特性指标中，反映系统对阶跃输入响应速度的是（）

A.上升时间B.通频带C.固有频率D.阻尼比

答案：A（上升时间指输出从10%上升到90%稳态值的时间，反映阶跃响应速度）

二、填空题（每空1分，共20分）

1.传感器的静态特性指标主要包括线性度、灵敏度、______、______和