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*6.4PN结1.PN结的构成一部分是N型半导体材料一部分是P型半导体材料2.PN结的掺杂方式a.合金法(合金结、突变结)工艺:高温熔融——降温凝固特点:在n、p型区,杂质各均匀分布;在交界面处突变b.扩散法(扩散结、缓变结)工艺:氧化、扩散特点:杂质分布由扩散过程及杂质补偿决定;杂质浓度逐渐变化3.PN结的主要性质电流随电压变化特性反向状态正向状态不同方向的电阻相差很大——P-N结可以作为整流元件——单向导电性平衡P-N结,即无外加电压的P-N结6.4.1平衡PN结特性1.空间电荷区载流子浓度梯
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