非晶硅薄膜太阳电池介绍--2015.07.21.pptVIP

辊压机中空线9厂区设备图片展示异性组件生产线旋转合片机9厂区设备图片展示“只要胸中激情生，人生自然有风景”，我们正处于光伏行业的飞跃期，机遇就在眼下，光明正在前方，让我们坚定信念，勇往直前，为伟大的光伏事业谱写出亮丽的篇章。Thankyou！6.3预热+PECVD（等离子体化学气相沉积）N：layer：SiH4+PH3+H2i：layer:a-Si:H→SiH4+H2、a-SiGe:H→SiH4+GeH4+H2P：layer:SiH4+TMB+CH4+H2glassFTOp1i1(a-Si:H)n1p2i2(a-SiGe:H)n2p3i3(a-SiGe:H)n3AZOAl基本原理：借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在TCO导电玻璃上沉积出P、i、n层薄膜。6.3预热+PECVD（等离子体化学气相沉积）玻璃TCOa-SiTCO玻璃a-Si:Ha-SiGe:Ha-SiGe:HPPPIIINNN等离子增强化学气相沉积法（PECVD）形成三结PIN太阳电池P结：非晶硅掺入硼元素I结：非晶硅本征层，第二第三结中掺入少量锗元素N结：非晶硅掺入磷元素PECVD沉积室PECVD预热室6.4激光刻线二P2玻璃TCOa-Si用532nm波长的激光对非晶硅层进行划刻，刻出子电池之间的串联沟道。532nm波长激光的能量可以刻透非晶硅层，而不会对导电玻璃上的TCO镀层造成损伤。P2激光刻线机6.5PVD（物理气相沉积)PVD(PhysicalVapourDeposition)1、共10个腔体，分别为进片-隔离-缓冲-溅射4个-缓冲-隔离-出片；2、四种靶材，依次为：AZO、Ni-Cr、Ag、Al。基本原理：在真空条件下利用辉光放电过使Ar气在过程程形成的荷能粒子轰击靶材表面，使被轰击出的粒子在基片上形成薄膜。Ar沉积Si的TCO玻璃放置靶材6.5PVD（物理气相沉积)玻璃TCOa-Si背电极物理气相沉积法（PVD）形成背电极1）沉积电池芯片的背电极，有效收集光电载流子。2）减少出射光，有效提高光在非晶硅薄膜中的吸收利用率。3）填充P2激光形成的凹槽，作为连接子电池正负电极的内连导线。PVD系统玻璃TCOa-Si背电极6.6激光刻线三P3激光作用等效电路用532nm波长的激光对背电极和非晶硅薄膜进行刻划，同时使第n个单元的非晶硅层与第n+1个单元的背电极隔离，连续的非晶硅薄膜层被划分为若干单元,并且在单元之间建立了串联连接。电池片电压为所有子电池电压之和，电流为子电池中最小电流。第n个子电池第n+1个子电池P3激光刻线机玻璃TCOa-Si背电极6.7激光扫边P4用1064nm波长的激光对芯片四周边缘指定范围进行所有膜层的去除，保证电池组件与外接的电气绝缘性。激光扫边机引流条绝缘胶带汇流条6.8汇流+引流+电极引出1）在各子基板的正负极粘贴引流导条，作为正负极引出线2）串接或并接各引流条到汇流条，引出最终的正负极端子作为电池的正负极。引流条玻璃TCOa-Si背电极6.9PVB敷设PVB4mm背板玻璃0.76mmPVB3.2mmTCO玻璃PVB敷设台玻璃TCOa-Si背电极6.10合片+辊压+高压釜PVB背板玻璃4mm背板玻璃0.76mmPVB3.2mmTCO玻璃高压釜组件规格为1245mm，宽635mm6.11成品包装非晶硅太阳电池组件接线盒晶体硅太阳电池7.其它太阳电池单晶硅电池片结构多晶硅电池片结构单晶硅电池组件多晶硅电池组件碲化镉薄膜电池碲元素相对贫乏剧毒元素镉作为原材料碲化镉薄膜电池结构示意图碲化镉薄膜电池组件铜铟镓硒薄膜电池（CIGS)原材料铟是非常稀缺的资源工艺复杂产品性能对材料配比敏感提高产品良率困难CIGS薄膜电池结构示意图CIGS薄膜电池种类电池类型试验效率商业效率优点缺点晶硅电池单晶硅25.0%15-17%转换效率高、寿命较长、稳定性好、公害小高成本、原材料难以获得、不适合低日照水平、不适合光伏建筑一体化多晶硅20.3%14-16%转换效率高、寿命较长、稳定性好、公害小高成本、原材料难以获得、不适合低日照水平、不适合光伏建筑一体化薄膜电池非晶硅16.3%8-10%弱光效应好，成本相对较低。应用范围广，材料器件