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电子证书考试试题综合测试(二)
1.P型半导体主要靠()
A.空穴导电(正确答案)
B.自由电子导电
2.反向电流受温度影响比较明显的是()
A.硅二极管
B.锗二极管(正确答案)
3.下列选项中,增强型N沟道绝缘栅场效应管的电路符号是()
A.
B.(正确答案)
4.直流放大器级间耦合方式釆用()
A.直接耦合(正确答案)
B.电容耦合
5.乙类推挽功率放大电路中,功率放大管静态工作点设置在三极管的()
A.饱和区
B.截止区(正确答案)
6.硅二极管的死区电压约为()
A.0.5V(正确答案)
B.0.1V
7.共发射极基本放大电路输出回路的直流通路如题一(2)图所示,直流参数的关系
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