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复试数字电子技术基础数电数习题.pdfVIP

复试数字电子技术基础数电数习题.pdf

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    6.9画出16字×1位RAM的双地址结构图。

    A2A3

    列地址译

    A0行

    地

    址4×4

    A1译矩阵

    I/O

    R/W

    6.15用实现ROM下列逻辑函数：

    (1)LAB+ABABC+ABC+ABC+ABC

    1

    (2)LA+BCm+m+m+m+m

    234567

    W0

    AW1

    地W2

    B址

    C译W3

    W4

    W5

    W6

    W7

    L1L2

    6.16回答下列问题：

    1.基本单元数32768，4096字RAM

    (1)数据线数：K32768/4096=8（位）

    (2)地址线数：n=ln4096/ln2=12

    2.基本单元数16384，4096字RAM

    (1)地址线数：n=ln4096/ln2=12

    (2)数据线数：K16384/4096=4（位）

    3.256×4RAM

    (1)有基本单元:256×4=1024

    (

    2)该每次多基本单元数:4

    3)地址线数：n=ln256/ln2=8

    (

    补充题：用42位RAM构成84位RAM.

    所需片数=(84)/(42)=4

    I/O位线并联的片数=2

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