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高阈值电压高栅耐压p-GaNHEMT器件研究
一、引言
在半导体科技的发展过程中，高性能的电子设备需要更为先进和耐用的器件作为支撑。P-GaN高电子迁移率晶体管（HighElectronMobilityTransistor，HEMT）以其独特的优势，在射频（RF）应用和功率放大器等领域中占据了重要地位。其中，高阈值电压和高栅耐压的HEMT器件更是成为研究的热点。本文旨在研究高阈值电压和高栅耐压的P-GaNHEMT器件的原理、设计、制作以及应用等方面的研究。
二、P-GaNHEMT器件基本原理
P-GaNHEMT器件的基本工作原理基于异质结界面的二维电子气（2DEG）。P型氮化镓（
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