Microchip 系列：PIC18F46J50 系列 (低功耗)_5.内存与存储器结构.docxVIP

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5.内存与存储器结构

5.1内存概述

内存是单片机系统中用于存储数据和程序的重要部分。PIC18F46J50系列单片机拥有多种类型的内存，包括闪存（Flash）、RAM、EEPROM等。了解这些内存的特性和结构对于编写高效、可靠的嵌入式程序至关重要。

5.2闪存（Flash）

闪存是用于存储程序代码的非易失性存储器。PIC18F46J50系列单片机的闪存大小为64KB，分为多个块，每个块可以独立擦除和写入。闪存的主要特性包括：

非易失性：掉电后数据不会丢失。

可编程：可以多次擦除和写入。

高速存取：支持高速读取操作。

5.2.1闪存编程

闪存编程通常通过单片机的编程接口（如ICD或IPE）进行。在程序运行中，也可以通过内部程序实现闪存的擦除和写入操作。

代码示例：闪存编程

//定义闪存编程的相关寄存器

#defineNVMCON0x18E//非易失性存储器控制寄存器

#defineNVMADR0x18C//非易失性存储器地址寄存器

#defineNVMADRU0x18F//非易失性存储器地址寄存器高位

#defineTBLPTR0x190//表指针寄存器

#defineTABLAT0x193//表寄存器

#defineEECON10x187//EEPROM控制寄存器

//闪存编程函数

voidFlash_Write(uint32_taddress,uint16_tdata){

//禁止所有中断

INTCON=0;

//设置闪存地址

NVMADR=(uint16_t)(address0xFFFF);

NVMADRU=(uint8_t)((address16)0xFF);

//设置闪存数据

TABLAT=(uint8_t)data;

TBLPTR=(uint32_t)address;

EECON1=0x00;

//配置NVMCON寄存器

NVMCON=0x4000;//设置闪存编程模式

//写入数据

asm(disi#2);//禁止中断2个指令周期

EECON1=0x55;//写入特殊值

EECON1=0xAA;//写入特殊值

NVMCON=0x4001;//启动编程操作

//等待编程完成

while(NVMCONbits.WR==1);

//重新启用中断

INTCON=0x00FF;

}

5.3RAM

RAM是用于存储程序运行时变量和数据的易失性存储器。PIC18F46J50系列单片机的RAM大小为3936字节，分为多个银行（Bank）。每个银行的地址范围和访问方式不同，了解这些特性有助于优化内存使用。

5.3.1RAM银行切换

PIC18F46J50系列单片机的RAM分为多个银行，通过BSR寄存器进行切换。每个银行的地址范围如下：

Bank0：0x00-0x7F

Bank1：0x80-0xFF

Bank2：0x100-0x17F

Bank3：0x180-0x1FF

Bank4：0x200-0x27F

Bank5：0x280-0x2FF

Bank6：0x300-0x37F

Bank7：0x380-0x3FF

代码示例：RAM银行切换

//定义银行选择寄存器

#defineBSR0x0F

//RAM银行切换函数

voidRAM_SelectBank(uint8_tbank){

BSR=bank;//切换到指定的银行

}

//示例：在Bank1和Bank2之间切换

voidExample_RAM_BankSwitch(){

uint8_tdata1,data2;

//切换到Bank1

RAM_SelectBank(1);

data1=0x55;//写入数据

FSR0=0x80;//设置FSR0指向Bank1的地址0x80

INDF0=data1;//将数据写入Bank1的地址0x80

//切换到Bank2

RAM_SelectBank(2);

dat