集成电路p栅极GaN HEMT中的栅极过压稳定性.docx

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2025-07-23 发布于河北
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集成电路p栅极GaNHEMT中的栅极过压稳定性

功率转换器中使用的氮化镓(GaN)器件具有多种优势，包括更高的效率、功率密度和高频HYPERLINK/product/file411.html\t/data/2024-06-04/_blank开关。横向GaN高HYPERLINK/\t/data/2024-06-04/_blank电子迁移率HYPERLINK/product/searchfile/552.html\t/data/2024-06-04/_blank晶体管(HEMT)功率器件在此类应用中实现了强劲的市场增长。这种本质上为耗尽模式的器件的栅极驱动具有挑战性，有许多解决方案可以将其转变为