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14、BPSG澱積BPSG厚度:8000+/-1000A用作多晶和AL的隔離介質PSUBBPSGSiSiO2PRPolyN+15、BPSG流動緩和BPSG的棱角以利於AL的爬坡和臺階覆蓋。完成N+和P+源漏結的最終推進。至此完成了電晶體部分的製作。PSUBBPSGSiSiO2PRPolyN+16、腐蝕接觸孔PSUB開引線孔採用先濕後幹的兩步工藝以利於AL在孔內的臺階覆蓋。BPSGSiSiO2PRPolyN+17、刻蝕接觸孔開引線孔採用先濕後幹的兩步工藝以利於AL在孔內的臺階覆蓋。PSUBBP
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