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常見的光刻曝光方法接觸式曝光:解析度0.5um;掩模版易損壞;容易累積缺陷;接近式曝光:矽片和掩模版之間的間隙在10~25um;對於可見光,解析度約1um;對X-ray,解析度可以很高;投影式曝光(目前最常用的)投影式曝光系統WaferStepper用光刻方法製成的微圖形,只給出了電路的形貌,並不是真正的器件結構。因此需將光刻膠上的微圖形轉移到膠下麵的各層材料上去,這個工藝叫做刻蝕。通常是用光刻工藝形成的光刻膠作掩模對下層材料進行腐蝕,去掉不要的部分,保留需要的部分。刻蝕技術可分成兩大類:濕法腐蝕:進行腐蝕的化學物質是溶液;幹法腐蝕(一般稱為刻蝕):進行刻蝕的化學
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